微腔半导体激光器的站模型及其抗噪声性能.pdf

摘要 摘要 本文对于微腔半导体激光器，提出站模型，能够较直观简洁地分析微腔半导 体激光器的稳态和瞬态特性，利用此模型对具有重要实用价值的声=1的微腔半导 体激光器进行了讨论；对于电流f噪声、自发发射寿命f；。噪声、自发发射因子卢噪 声、光子寿命r，噪声，以及电流调制、r。调制、∥调制、r，调制，在小信号近似 下，得到了相应的激光器的传递函数；在大信噪比的前提下，对激光器进行了频 域分析，分别计算了它们在不同参数下的信噪比增益，分析了其抗噪声性能。数 值模拟的结果表明，对于无调制时的各种噪声，适当选取偏置电流和腔内参数可 以提高微腔半导体激光器的抗噪声性能或激光输出的质量。对语音调制情况，如 带通滤波器的通带范围取为300Hz一3400Hz，则激光器的抗噪声性能基本不依赖 于偏置电流和腔内参数；当带通滤波器的通带范围增大到～定程度，调整偏置电 流和腔内参数可以实现半导体激光器的高抗噪声性能。 关键词：微腔半导体激光器；站模型；调制；抗噪声性能；信噪比增益 Abstract Abstract For semiconductor modelis inthis micro—cavity laser，starionproposed characteristicswhenthe andits andinstantaneous paper steady—state intoa modeis of emission couplingefficieneyspontaneous lasing equal I aswell to are current analysised．For se，0 noiset noise，T。pnoinoiset{p ascurrent and modulation，rpmodulation，flmodulation derivelaser’s the transfer small—signalapproximation，we corresponding functions．Andwecalculatetheir in signal—to—noiseratio(SNR)gain variOUS domain inthe of parametersthroughfrequencyanalysis premiss SNR．TheresultsofnumericalsimulationshowthatforvariOUS largeinput kindsofnoisewithoutmodulationtheanti-noise andthe propertiesoutput oflasercanhe biascurrent