原子层淀积金属氧化物阻变存储器件地研究.pdf

复旦大学博士论文 摘要 优化，其擦写操作可以在很低的电压(士O．8v)范围内完成，使得存储稳定性大 为提升。其原因是A1203材料与NbAl0材料存在较大的介电常数差异，重构了 RRAM器件中的电场分布：介电常数越小的区域电场强度越大。为了验证这种 具有电场调制效应的叠层结构对RRAM优化的作用，我们设计了系统的实验， 替单一阻变层能够增强RRAM器件的稳定性。无论是单极性还是双极性的 RRAM器件，其阻变特性均能够通过增加介电常数相对小的A1203电场调制层来 进行优化。叠层结构具有的这种电场调制的阻变效应大大减小了RRAM器件电 阻转变过程中的随机性。论文用matlab对上述结构的RRAM阻变行为进行了模 拟，得到与实验数据非常吻合的阻变电流电压特性曲线，即具有电场调节作用的 堆栈阻变层具有更为稳定的阻变特性。 非挥发存储器件中的多值存储技术是实现海量存储的有效途径。研究表明在 RRAM器件中，通过改变set过程中的钳制电流幅度(Iset)可以显著改变电阻值 的大小，即可以通过这种控制set过程中的钳制电流幅度方式有效地实现器件的 多值存储功能。但是钳制电流对低电阻(LRS)值的影响也明显分成两个部分： 当钳制电流设置较大时，LRS阻值与I。。。成线性关系，I。。。越大，LRS越小；当 I。。。lmA时，LRS随电流I。。。变化很小，I。d对LRS调制作用消失，其原因来源 于测试设备的电流过冲现象，这一现象在实验中得到了验证。用嵌入金属纳米晶 的方法实现了对金属氧化物RRAM阻变特性的优化。制备了 提升了氧化铝RRAM器件的阻变存储籽眭，其开关比保持在105以上，远远大 于未嵌入纳米晶的102的数据。同时，嵌入纳米晶的RRAM器件在数据的稳定 性和保持特性上都有较大提升。 关键词：电阻式存储器，非挥发存储器，金属氧化物，原子层淀积，导电熔丝， 多值存储，阻变机制 中图分类号：TN303，TN304，TN305 Abstract near of flash asizelimitinthe future，asurge Asconventionalmemoryfacing inresistive tor hasbeen switchingphenomena developed extensivelyinvestigation random resistance innext devicescalled memory Dotential generation applications cell scalability,ta8t ofits structure，superior access simple memory(RRAM)．Because timeandCMOS retention compatibility， operation，long switchingspeed，lowpower