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低温液相法制备元硫属半导体薄膜的研究
中文摘要
中文摘要
太阳能电池由于成本低廉，是光伏新技术发展的重要方向。采用化学浴、SILAR、
电沉积法等低温液相法制备上述硫化物具有低成本、绿色无污染、工艺温和的优
点。本文以硫属半导体薄膜在ETA电池的应用为背景，综述了太阳能电池的发展
和种类、硫属化合物的性能及应用和三元硫属半导体薄膜的制备工艺。课题研究
霍尔测量系统等的测试分析，研究了上述制备方法和工艺过程对薄膜结构与性能
的影响，对不同方法下的成膜反应进行了解释。
大于12h后薄膜生长变慢，粗糙度增大。
生长机理沉积成膜，原料浪费少、制备条件温和，污染小，但尚未有SILAR法制
度分别是450℃和400℃，随热处理温度升高，薄膜电阻率下降，光吸收系数、
eV增至1．48
载流子浓度、迁移率增加，CuInS2禁带宽度从1．34
提高，禁带宽度Eg在1．37～1．44
对可见光具有很好的吸收特性。
电化学沉积法在太阳能电池薄膜制备领域一直得到广泛关注。本文采用一步
．1100mv是适宜的沉积电位。热处理后，薄膜组成更接近化学计量，结晶度改善，
中文摘要
面反应有关。
关键词： 三元硫属化合物化学浴法连续离子吸附与反应法 电沉积法
ABSTRA(了
ABSTRACT
ETAsolarcellwith as thin
semiconductors
chalcogenide extremely
isoneofthe devicesinsolar hasbeen
layer promising energy．There
interestfor and thinfilm low
Cu]．uS2 CuInSe2
developing using
chemicalmethodssuchas and ofthese
CBD，SILAR
isthat are costand
free，low softsolution
processestheypollution
withan solarcells thin
dissertation overviewof and fill．Basedon
begins sulphide
the of and suchmethodswere
CuInS2CnInSe2
background，thepreparation by
researchedand．thecharacterizationofthefilmswascarriedout
by
andHall
system．
CBD filmswere from bath
By proce
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