mfis结构铁薄膜场效应晶体管的制备及性能表征.pdf

摘 要 摘 要 铁电随机读写存储器(FeRAM) 由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高 存取速度、高密度存储、抗辐射、与集成电路(IC)工艺兼容等突出优点，而被公 认为下一代最具潜力的存储器之一，在计算机、航空航天和国防等领域具有广 阔的应用前景。作为 FeRAM 中的一种，由铁电场效应晶体管(FeFET)作为存储 单元的铁电存储器除了具有 FeRAM 的优点以外，还具有结构简单、非破坏性读 出、遵循集成电路比例缩小原则的优点，是一种理想的存储器，代表着未来通 用存储器的发展方向。因此，本文以 FeFET 为研究对象，首先对无铅铁电薄膜 及其存储器的研究进展进行了评述，主要讨论了：(1) 铁电薄膜材料的制备方法、 基本物理特性及性能表征；(2) 铁电存储器的发展历史和现状；(3) FeFET 的工 作原理及可靠性问题：疲劳、印记失效、保持性能损失。在此基础上，利用实 验、理论建模与分析、数值模拟和集成电路设计等方法，研究了 MF(M)IS 结构 铁电薄膜场效应晶体管的制备及性能表征。主要内容和结果如下： 1．用分子束外延的方法(MBE)制备了厚度为10nm~40nm的Y O 绝缘层薄膜、 2 3 用射频磁控溅射的方法(RF magnetron sputtering) 制备了厚度为20nm~110nm 的 CeO 绝缘层薄膜，采用Al/Y O /p -Si(100)/A1和Au/CeO /n-Si(100)/Au两种电容结构 2 2 3 2 对Y O 和CeO 薄膜在不同退火温度下的微观结构、介电常数、捕获电荷密度、电 2 3 2 容- 电压特性(C- V)和电流- 电压特性(I - V)等电学性能进行了分析测试。制备出来的 Y O 绝缘层薄膜(as-deposited)是非晶型的，经过退火处理后从非晶型向多晶型转 2 3 变；而CeO2 薄膜一开始就是多晶型的，晶粒大小为20nm至41nm 。随着退火温度的 上升，各衍射峰和拉曼峰都逐渐增强，绝缘层薄膜变得越来越致密、平整，晶粒 的尺寸也逐渐增大。Y O 和CeO 绝缘层薄膜的介电常数随着退火温度的上升而下 2 3 2 降。Y O 薄膜的氧化层捕获电荷密度(Q ) 随退火温度增加而减少；而CeO 薄膜的 2 3 ot 2 氧化层捕获电荷密度和界面捕获电荷密度(Q ) 随退火温度的增加而增加，与我们 it 希望通过退火来尽可能降低各种捕获电荷密度的预期不一致。捕获电荷密度的增 加除了与原材料、制备工艺有关外，也可能是CeO 薄膜内部的应力所致。漏电流 2 可能是多种机制共同作用的结果，其大小与绝缘层薄膜的形貌、沉积方法及后退 火条件密切有关。当退火温度增加时，漏电流变得越来越小。在退火的过程中， 绝缘层薄膜变得致密、界面氧化层的生长是造成漏电流密度随退火温度的增加而 降低的主要原因。 2 ．采用化学溶液沉积法(CSD)对钛酸铋 BIT 铁电薄膜进行掺杂改性研究，掺 入 稀 土 离 子 Yb3+ 、 Dy3+ 和 Nd3+/V5+ 在 Pt/Ti/SiO /Si 基 片 上 分 别 制 备 出 2 Bi Yb Ti O (BYT) 、Bi Dy Ti O (BDT)和(Bi Nd )(Ti V )O (BNTV) 薄膜。 4-x x 3 12