SOI-LDMS器件的结构设计.pdfVIP

摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多，以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分，在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容，这会降低功率效率和增益，尤其会使输出匹配的设计更困难。绝缘体上 硅的横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管(s0I．LDMOs)不仅具有良好的绝缘 性能、较小的寄生电容和泄露电流，提高功率增益和耐高温操作性能，而且工艺 与s0I．cM0s工艺兼容，相对体硅LDMOs工艺更加简单。 本文采用IsE二维器件仿真软件对sOI．LDM0s器件进行电学性能仿真，并 出特性，较小的寄生电容等。针对SoI．LDMOS射频应用中严重的自热效应和浮 消除了部分负面影响。对图形化SoI．LDMOS的跨导特性进行研究，为提高器件 的跨导提供了依据。并采用多种方法改进其电容特性。 本文建立了sOI高压器件的耐压模型，给出了击穿判据，为了使sOI功率器 件具有较高的击穿电压，介绍了场板结构、降低表面电场(REsuRF)结构等多 种耐压结构。SOI．LDM0s应用于RF功率放大器时，都在某一特定频率下工作。 为了保证电路不会因为器件截止而导致整个电路在高频状态下失效，器件必须具 有高截止频率。本文介绍了一些结构工艺参数对截止频率的影响，给出了结构参 数随截止频率变化的参考图示，为提高器件的频率特性提供了依据。 关键词：S0卜LDM0s图形化s0I跨导电容 3 Abstract The circllitisusedmorcarldmore illtllefieldsofmobile radio矗嗍uency poplllar commllIlication localarea net、vork，aviation equip】[Ilents，wireless eminerand The mdar，microwaVesO0IL Whichba∞sonme power胁sistor ofLDMOSleadsa circIlit．m tecllnology key e侬斌iIlⅡ圮raIdio丘明uellcy ofLDMOSl粥a dealofdefbcts．n tecllIlology great h鹪11i91loutpmcapacitance， Ⅵ血ichc孤reducc makeme power power e伍ciency锄dplus，especially，candesi印of SOI-LDMOShas ou_IputmatchiIlglmrder．Compared、ⅣitllLDMOS，tlle many that dielectric is01ation，10w adV锄tagescompletely ou_Iput and resis缸mtcllamcteri