利用UHVCV在SiOlt;,2gt;薄膜上生长多晶锗硅薄膜的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文利用一种先进的薄膜制各技术超高真空化学气相沉积(UHvcvD)对 在si02非晶衬底上生长s“一。G岛多晶薄膜的一系列研究。本文围绕两个方面进行 研究：一种是探讨最佳的生长参数使得sil。G氐在非晶衬底上不易成膜，延长潜 伏时间，实现低温的选择性外延生长，应用到亚微米级集成电路工艺中；另一个 方面探讨利用Nj金属层诱导，实现在sj02上快速沉积siI一，G％多晶薄膜，应用于 薄膜晶体管的制作中。我们研究了不同的生长气氛对超高真空化学气相沉积选 择性生长锗硅薄膜的影响，采用sEM，Ⅺ①研究了不同生长条件下的薄膜的成 核情况，指出当温度高于550℃时，气氛中锗含量对超高真空选择性生长锗硅有 明显的影响，低于550℃时，氢气以及锗烷相互作用对锗硅选择性生长产生影响。 通过对比不同的生长条件，并结合锗硅材料的生长特性，指出最佳的选择性生长 条件为：温度为550℃，生长气氛中si地、GeH4和H2的流量比为5：O．5：4．5，在此条 件下，不仅能够获得高质量的sil一。G％薄膜，而且多晶锗硅在二氧化硅表面成核 的潜伏时间可达到40min以上，完全可以满足器件制备的需要。 研究了利用Al和Ni两种金属作为诱导层，利用U】{vcvD分别在高、低压下 生长多晶锗硅，发现在生长压强较高时两者均具有诱导生长多晶锗锗硅的作用， 但是薄膜的表面形貌相差巨大，Nj更适合作为金属诱导层生长多晶锗硅。接着 对Nisi固相反应进行了研究，分析了Ni作为金属诱导层的作用机理。接着利用金 属Ni诱导，并采用不同的缓冲层在si02衬底上进行多晶s“一，G岛生长。在用si层 做为缓冲层时，能得到晶体质量较好的多晶锗硅薄膜。同时对制得薄膜的内部 金属Ni的分布做了分析，发现金属Ni主要集中在多晶锗硅和si02衬底处，薄膜中 的金属污染较小。 关键词： U}ⅣcvD选择性外延生长 多晶锗硅薄膜 金属诱导 Abstract Abstract G巾w山of on Ihin substratewithaadvancednlm poIy—Sil一xG％thin矗lmSi02 prepamtion hasbeenresearchedlnthis TWo equipment——UHVCVD paper aspects haVebeenresearched：oneisto矗ndoutthe gm、nh which oPtimumparameIerpoly- on substrate astojncreasetheincubation Sjl—xG氐can’td印ositnon—crystal easily，so timeaIldachi“eseIective inIhe ofthesub—micronIC epita)【ialgro州h application pro— otlleroneistorealize the of withNi— cess；the SfD2 rapiddepositionpoly-Sil一xG电on induced whichwillbeusedinthethinfilm fhbrication．theefrect Iayer