zno薄膜的水液法制备与研究.pdfVIP

中文摘要 本文采用水溶液生长两步法，以硝酸锌和氨水为生长溶液前驱体，通过衬底 表面晶种层的外延生长方式，溶液的过饱和度为生长主要驱动力，制备了高度取 向一致的六方纤锌矿氧化锌(ZnO)纳米级／微米级棒晶阵列薄膜，研究了水溶液 中ZnO棒晶薄膜的生长机理，并基于该机理实现了多种微观形貌ZnO薄膜的制 备，对其结构及形貌形成的影响因素进行系统的分析。 薄膜的物相组成、结晶形貌和组织结构等。实验发现在氨水体系中，由于氨络合 Zn2+对于生长释放Z112+的发挥了缓冲的作用，保持了棒晶生长稳定性，所以ZnO 棒晶生长存在于宽pH值范围。以水溶液中pH值原位二次调节的途径，制备了ZnO 管状晶、片状晶和表面绒毛状的棒晶。其中，调高溶液pH值使溶液组成不饱和 而进入非成核区，ZnO晶体极性面(0001)易于吸引氢氧根离子而被腐蚀，促使ZnO 管状和片状晶体的形成；调低溶液pH值使溶液组成再次过饱和而进入成核区， ZnO纳米晶在势垒更低的棒晶界面成核，导致了表面绒毛状的ZnO棒晶的形成。 实验考察了水溶液法中各工艺条件及参数对ZnO薄膜质量、形貌和结构的 作用规律，包括ZnO晶种层、种子液浓度、生长液初始锌浓度、初始pH值、生 长温度、生长时间和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的添加等。研究表明，排 列整齐一致的ZnO棒晶阵列的制备需要衬底表面涂敷ZnO晶种层；种子液浓度 对于薄膜形貌影响较小：生长液初始锌浓度主要影响棒的C轴方向的生长速率， 浓度的增大有利于ZnO棒晶阵列的致密度以及整齐度；在成核区的范围内，增 大初始pH值，ZnO棒长径比显著增大，且由稀疏细长转变为搴IIEN紧密整齐一致 的棒晶阵列；加入CTAJ3有利于ZnO棒晶阵列排列更紧密，但是易于导致棒晶 互相联结；生长温度的升高促使生长速率加快；延长生长时间，膜的致密度更高 且棒晶尺寸更大。棒晶C轴方向的生长速率主要受初始锌浓度、初始pH值、生 长温度和时间控制，而直径主要决定于晶种层、初始pH值和生长时间。通过调 整以上工艺及参数，可实现不同尺寸的ZnO棒晶薄膜，直径从50至300nm，长 度2至89m。 关键词：ZnO：纳米／微米棒晶薄膜：纳米管：纳米片晶；毛绒状；水溶液生长 法 ABSTRACT Inthis and wurtziteZnOnano／micro··rod paper,well-alignedorientinghexagonal were in via solution arrays preparedlargequantitiesaqueous growthtwo—step zincnitrateandammoniaas was approachbyusing growthprocess precursors．The based ofsolutionsisthemain upon epitaxialgrowthroutine．Supersaturatingdegree driveforceforrod mechanismofrod filmswas growth．Thegrowth crystal andit’Sachievedtotransform ofZnOfilms．Thefactors’ investigated morphologies effectives and were on structure morphology systematicallyanalyzed． wereu