强抗辐射漂移机inp太阳电池的研究.pdfVIP

搦要 摘要 为了畿够覆盖整个媳球袭蔷，道债卫星通常采用掰稚方式谢餐：一种愚耀三 鬏撼球同步孰遴卫攫(3S，7∞公蹩)，男一耱是漆黉几十至几甏鞭瓣低软遴(?∞ 公篓)翌蹙。蓊者懿缺点怒盘予援篱较逡困繇蘩求较大熬信号凌率以投存在较长 瓣缩弩延逡，而后潜弼国予翌鬣数稻麓大黼费闱精资。舀前认为简度为3∞O公 攘静孰道必最往位踅，使褥在翌麓个数佼霜、穗号发鬃功率要求以及髓号时阕延 遮之润达戮～种平衡。键怒，在这个轨道高度上霉在繇谓v氇nAllen辐射带，凌 运爨即使楚“撬辐魅”鼹si太鼹电邀也哭缝正常王作足天黠阕。嚣鼗，强了熊 谴遥落卫爨在van§iien辐射带菠豢工佟，必j燹簧裔一耱强抗辐鸯孛莠藏典裔较濒 滚爨魄渤率躺太翔魄池。 毽鼹嚣内多}月予靛天器上黪太聚宠漶主要为Si鞫sa矗s太辍恕法，偿这两静 耱辫鹣撬辎瓣魅力较麓，其巍电转换效攀由于蕊室褊辩衰减税快，嗣褥寿命缀， 稳定谴麓，不麓满怒鞠予vanAli∞强辐射带的塑间皮用需要。j艘精黼作为～ 种应用越来越广的半导体材料，除了县谢良好的电特性之外，它具有非常突出的 抗辐射能力，蹩下一代靛天嚣爆太闲逛波熬蓠遮越瓣。 邋黎黥太翔毫邀牧集熬少数载浚予黉幺是产璧予p珏缝，溪么是少数载滚予 躐蓠结豹躐离必须，j、予其铲1散长度。本文诧较努耩了太阳电浦工作瀚礴秘可熊工 棒税铡：扩散据锻鞠漂移枫铡。感予漂移枫铡受辍戮损揍影嫡较小，鞭霹在零磷 究中实黪鹣王终鼯楚瀚缀该拣刹袋开。漂移场懿澎藏楚暹遭|}{8瑟技术，密缝瓣溅 铡都莱耀梯震掺杂(鼙双梯凄掺杂)，献孺在整个露源藩都建立越一个强的漂 移)窀沥，有效遗籁埔裁流子在电蹋终翅下鹣漂移律髑收集少数载流予，使褥恿 肉壁子效攀得以提离。融予双梯度掺杂唿漶稠震姻楚漂移场收篡少数载浚予，聪 而不依赖于其扩散长度以及距缩的躐离。特别怒在强辐射环境中少数载滤予的扩 漱长度会因楗辩黪壤势搂臻恧下辫瓣，滚秘设诗熏屡示窭冀撬越後。 零王髂主螫进行了鲡下，L个方鬻粒礤究： i．穰掇太黼电漉的太空艨髑嚣强抗辖射和离重澄蹴旗率的簧浓，对太鞠魄漶络 褥进行设诗。采躅与众不鞠的通过在p隧秘n隧郡瀑鲻娣度掺杂这襻～令艨{餐双 撵度掺聚，在整令鸯源瑟获黎离遴l蛰4矿，勰熬潆移逛濑。镬褥该太凝惫漶不鬻予 北京王妲大学工掌博士学缱埝变 通霉豹p—n结太灏邀漶故袋光垒载滚予蹩菝靠少数虢流予豹扩教枫露8，丽爨少数 躐流子在漂移场的作用下快速通道缩区，并不依赖于少数载流子的扩‘敞长度； 2，聪矮专萱壤搭款待AD嚣pl黠熬龌缡爨、茯安耱靛等滋行模叛，黻秘步验涯设 计的合理散。模拟结果表明设计正确反映了设计思想，尤其是很好堍反映了器件 嚣疆馥毽蒺； 3。采爝鼢E(分子衷步}殛，moloeular be黼鲫ittaxiai)方法在p+～觑p季寸底 上外延双梯度掺杂漂移机制Inp太阳电池。测量样晶的载流子分布、伏安特性、 爨子效率、抗辗射特性等。计算魄池效率，并与非漂移枫制InP太阳电溅的摭辐 射髓能傲鞲：照。结果表明； 双撵浚掺杂漂移援铡l艘太麓奄遵程经l∥l鼙醪g知c加搿，洲2辐黪辖照 薅，除了填充因予从受辐照前的76％降低到受辐照后的7揣外，电池性能几乎没 蠢受妻l嚣么影穗，开路毫嚣、短鼹港滚积Ⅲ嫠予效率露乎没有交讫。葫率僚撩匿数 为93．7％，鼹前阐际上报遐最好的结果是InGaP／G积8／Ge三结太阳电浊的87．5％。 藤在饕逶扩散祝涮Inp太麓嘏港情形，经10”i赫eVg缸￡护8琳，掰i2静辐射疆 照爱魄涎瓣篷予效率下终了8％左褰； 4．采用LP—MBE(液相分子束外延)技术外延晶格失配遮7．4％的InP／GaP太阳 魄涎。测熬秘分凝棰晶豹激予效霉、撬辐射特性等。技缨皴越分橱磺突了InP／GaP 姆质界面羽电特性。发现纛异震弊藤处存在一个类似于二维电子气的裔密度电荷 溅，这个溅赫鼷掰跫懿势戮霹淤褥载滚予寨缚在爨甏瓣遮嚣不曩被复台簿。 瓣内量予效率巍霹冤褒紫努光嚣锯然遮瓣了运80鞯，仅魄InP／l潆器耱下海了 l嗍，辐射对电池的光谱响应几乎没有经{珂影响。这个缩果从另一个方瑟说明了 潆移橇潮在器件抗辐射能力上的佟震。 level 蘧姊，遴辩瓣器终枣子赞添戆缀钌我(Fe猢i pinning)在鼗俘表露 产生一个殷向带弯，其厚度可达10一100nm，