新型氧化锌(zo)纳米结构的合成生长机理和光学性能研究.pdfVIP

新型氧化锌（ZnO ）纳米结构的合成生长机理和光学性能研究 中文摘要 中文摘要 氧化锌在半导体家族中是一种十分重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙材料，它的 禁带宽度可达3.37eV，有着很大的激子结合能，可达到60meV，纳米氧化锌同时 具有纳米材料和半导体材料两大优异性质，特别是纳米氧化锌以其特有的发光特 性受到了众多研究者的关注，氧化锌纳米结构在电子、光子、传感和光电纳米器 件上有很大的应用潜力。因此，对新型氧化锌纳米结构及其光学性质的研究具有 重要意义。 热蒸发合成方法以其方法简单、合成的氧化锌纳米结构晶体性好而被广泛使 用。本文采用热蒸发沉积法通过对生长温度、压力、载气气流等参数的优化控制， 0 0 利用金纳米颗粒作为催化剂分别在 900 C 和 950 C 合成了纳米梳和纳米旗两种新 型氧化锌纳米结构，并针对不同氧化锌纳米结构的生长特性以及其所呈现的不同 光学性质进行了深入研究。 利用 SEM、TEM、EDX 和 X 射线透射显微技术表征两种氧化锌纳米结构的 形貌和成分，氧化锌纳米梳的外形结构类似一个三角梳包括梳背和梳齿两部分， 纳米旗由旗杆和四方形旗片两部分组成。金纳米颗粒位于氧化锌纳米梳梳柄顶部 和纳米旗旗杆顶部，说明这两种氧化锌纳米结构生长都遵循VLS 生长机理。利用 透射电子显微镜（TEM ）对两种氧化锌纳米结构的晶体结构和形态做了详细分析， 从TEM 选区电子衍射得出两种不同氧化锌纳米结构都是单晶，且都属于六方纤锌 矿晶体结构，在金催化剂的引导下氧化锌纳米梳的梳柄生长方向是[0 11]，梳齿的 生长方向是[0001]，金催化剂引导氧化锌纳米旗的旗杆生长方向是[01 0]，旗片的 生长方向也是[0001]。在高分辨 TEM(HRTEM)下观察到氧化锌纳米梳的梳齿尖端 和梳齿根部拐角处有很多由点缺陷、线缺陷和应变造成的层错，这些缺陷诱导纳 米梳的梳齿成核生长且朝着低能晶面（0001 ）面生长。相对于纳米梳，纳米旗的 缺陷相对较少，只是在纳米旗的顶端合金处和旗片与旗杆连接拐角处存在一些缺 陷。由于纳米梳的生长温度相对较低，所以产生较多的缺陷而使纳米梳梳齿生长 从而形成纳米梳结构。另外，两种纳米结构的 STXM-XANES 图谱中都没有任何 I 中文摘要 新型氧化锌（ZnO ）纳米结构的合成生长机理和光学性能研究 杂质元素。 利用325nm 的紫外灯照射两种不同形貌的氧化锌纳米结构，分别发出了不同 的光，纳米梳发黄绿光，纳米旗发较弱的绿光。为了研究这两种不同氧化锌纳米 结构的发光性质，分别使用了阴极射线发光（CL ）、光致发光(PL)和 X 射线荧光 (XEOL)三种荧光测试方法从不同角度分析了氧化锌的发光特性，CL 发光是电子作 为光源，电子激发可获得价带和浅核电子的信息；PL 和XEOL 都是以光子作为光 源，光子的穿透深度比电子的穿透深度深，并且XEOL 中的X 射线的能量最高探 测深度最深，更重要的特点是，XEOL 使用同步辐射X 射线激发光源可以选择性 激发不同化学环境下的核壳电子从而提供材料发光中心的相关信息。纳米氧化锌 的形貌不同产生了近边能带发光（NBG ）与绿光缺陷发光(DE) 的之间的发光强度 比例的不同。测得的纳米梳的CL、PL 和XEOL 光谱图均有两个特征发射峰，一 个是紫外区378nm 的近边能带发射峰，一个是绿光区517-530nm 的缺陷发射峰； 纳米旗的CL、PL 光谱图只有一个380nm 的近边能带发射峰，而它的XEOL 光谱 图有两个特征峰，一个是380nm 的近边能带发射峰，另一个是绿光区517-530nm 的缺陷发射峰。这是由于纳米旗的结晶性高于纳米梳，缺陷少。两种纳米结构的 XEOL 光谱分别通过激发Zn-L 边和O-K 边，得到随着激发能量的增加DE 强度都 显著增强，说明两种纳米结构的缺陷发光与Zn 和O 之间都有关联，根据文献报道，