KDP晶体过饱时控制生长和改善晶体的均匀性.pdfVIP

摘 要 f核聚变能是理想的清洁能源，可一劳永逸地解决人类的能源危机。 惯性约束核聚变(IcF)是目前利用这种能源最有前途的手段之一，美、 日、俄、法、中等大国均投入臣资研究和发展。 KDP晶体由于具有大的电光和非线性光学系数、高的抗光伤能力， 并能生长出大尺寸的单晶，成为目前可用于激光可控核聚变的无可替代 的非线性光学晶体。 作为同时具有压电、铁电、电光和非线性光学性质的多功能晶体， KDP晶体的生长、应用和性能研究已经有很长的历史。大尺寸KDP晶 体作为IcF工程中关键性的材料，美、日、俄等孱从70年代末即开始开 发研究。目前研究工作主要集中在提高晶体生长的速度和提高晶体的光 学质量两方面： 在激光核聚变中的应用不仅要求晶体有较大的尺寸，而且对Ⅺ)P晶 体的质量提出了很高的要求，具体说来，主要是要求晶体有高的光伤阈 值，低的吸收系数，高的光学均匀性。这就要求从生长晶体的原料、生 长过程的各种参量控制，晶体生长完成后的后处理等方面严格把关0如 何提高望鎏晶签的质量是本论文的主要工作内容。 ／目前Ⅺ)P晶体生长大都采用降温法和循环流动法两种，通过控制降 温速度和恒定温差，来获得适当的过饱和度。过饱和度是晶体生长的驱 动力。温度和过饱和度的波动对晶体的质量有很大的影响，可能导致晶 体内产生或强或弱的生长带甚至母液包藏，伴随生长带的产生可能有带 状散射颗粒。目前常用的测量溶液浓度的办法是将溶液从生长容器中抽 出一部分，测溶液的饱和点，既不能做到实时测量，还对溶液有了扰动。 i 解释了Ⅺ)P水溶液的电导随温度和浓度的变化的关系，特别是考虑到 H，Po。。在浓溶液中呈聚合状态，基团尺寸变大使电导增大，经修正理论 值与实验值有很好的吻合。根据实时测量的溶液的温度和电导，即可利 用该关系式实时确定溶液的浓度，再把它和溶解度曲线比较，求出过饱 和度。测量精度达到0．039KDP，1009州相对过饱和度0．10％)a 在此基础上，作者妊国内首次实现了计算机控制的降温法在恒过饱 和度生长KDP晶体。腔制精度达到o．05∥100wat叫相对过饱和度o．15 ％)。用这种方法生长的Ⅺ”晶体不存在带状散射颗粒。过饱和度恒定 便于做过饱和度对晶体生长的影响。对不同过饱和度下生长的KDP晶体 的均匀性检查发现，同一原料生长的I①P晶体随过饱和度的加大、生长 速度加快，均匀性下降。 尽管l①P晶体的激光损伤机理仍不清楚，但有充分依据说明晶体的 光伤阈值与晶体中的散射颗粒有关，散射颗粒密度越高，光伤阈值越低。 作者首次提出散射颗粒的形成与晶体生长溶液中多磷酸盐的存在有关， 提出了多磷酸根阴离子被晶体生长表面吸附进入晶格生长位，导致散射 颗粒的形成机制，并对有关现象作出讨论。 ，l、微量的多磷酸盐掺杂即可导致晶体出现散射颗粒，随着掺杂浓度 增大：、散射颗粒密度随之升高。当偏磷酸盐掺杂达到一定浓度(1 op_pm) 以后，晶体生长出现溶液包裹体。当掺杂达到50ppm时，晶体成不透明 的八面体形后，生长即被完全遏制。焦磷酸盐掺杂影响较弱，掺杂达到 2％以上时晶体锥面的生长受到阻碍，而柱面却继续生长，到20％时晶 体生长成八面体形，但仍能保持透明生长。EDTA掺杂直到1％未见出现 ‘‘ 散射颗粒明显变化，但同时掺入少许多磷酸盐时，散射颗粒立即显著增 ‘ 加。 ．飞 2、作者认为，多磷酸端基的P04四面体基团与溶液中H，P04‘及其多 聚体基团的结构相似，使多磷酸阴离子容易通过形成氢键进入生长格位， 从而阻碍基本台阶的推移，聚并的宏台阶移动的结果形成了散射颗粒。 偏磷酸盐具有环状结构，分子体积远大于焦磷酸盐，所以对晶体生长的 阻碍作用更大。EDl’A与H2P04．基团结构差异较大，不易进入晶格。