中温烧结镨、锶杂PNN-PZT系压电陶瓷.pdfVIP

中文摘要 及制备工艺的改进，可以降低烧结温度(从1250℃降到1150℃)，提高致密度(从 7．60 O比Q·cm提高到1．2×10比 g／cm3提高到7．80g／cm3)和体积电阻率(从0．8×l Q·cm)，材料的压电介电性能也得到改善。这些都使得PZT．PNN系统压电陶瓷 材料在制备独石结构的压电陶瓷器件方面有一定的潜力。 通过X射线衍射(XRD)物相分析发现：在960℃／2h合成条件下，当Zr／1’i= O．5／0．5、PNN含量x=O．3时，三方相和四方相共存，系统处于准同型相界处，但 当Zr／Ti=0．5／O．5，PNN含量x=O．2时，系统处于相界附近四方相一边，居里温度 升高；扫描电子显微镜(SEM)分析发现：在1150℃／2h烧结条件下，当Pr6011和 粒粒径均在3～5岬之间，非常均匀。通过调整第三组元PNN和掺杂物Pr6011和 SrC03的含量，实验确定了最佳配方组成：0．8Pbo95)Pro02Sr003(Zrl／2Ti】／2)03- 0．2Pb(Nil／3Nb2／3)03。 本课题还研究了合成工艺、烧结工艺和极化工艺对陶瓷压电介电性能的影 响。合成温度和烧结温度对(1．x)Pbf 陶瓷性能有重要的影响，合成次数和保温时间对该系统的性能影响较小，合成温 度在960℃／2h，烧结温度在1150℃／2h时，得到综合性能较佳的压电材料。研究 了极化工艺对该三元系压电陶瓷性能的影响，确定的最佳极化条件为：3kV／mm 的场强下，在100℃硅油中极化30min。 得到PZT-PNN系统压电材料的最佳性能：压电常数d33=530pC／N、体积密度 ％以内)，居里温度T。=200℃左右。 最后，对比了前驱体合成工艺与传统的氧化物混合合成工艺对系统相结构、 微观形貌、压电和介电性能的影响。 关键词：压电陶瓷，铌镍一锆钛酸铅，氧化镨，碳酸锶，中温烧结，介电压电性 能 ABSTRACT (1一x)Pb(1．v．z)PbSrz(Zrl，2Til／2)03·)(Pb(Ni1／jNb2／3)03(shortfbrPZT—PNN) ceramicswasselectedasresearch were piezoelectric object．Thesamplesgainedby solution P and and the technics． SrC03 treatment，addingr6|Dll impr0Vingpreparation The wasdecreasedfIrom1 250℃t011 voIume sinteringtemperature 50℃)。the andvoIume increasedf．rom7．60 f．rom density resistiVi够were g／cm’to7．80∥cm’and 0．8×l012Q·cmto1．2×1012 the ofPNN．PZTcouldbe Q·cm，respectively．Sosystem in whichismonolithicstructure． usedpiezoeIectricecomponent The indicated：whenat X—raydi筇raction(XRD) calcinating960℃／2h， in contentofPNN is the Zr／Ti=O．5内．5，the x=0．3，the