半导体二极管中电容的表征和测量.pdfVIP

摘要 半导体二极管的电特性表征一直是一个非常重要的课题，但有关其正向交流 特性的一般分析却很少见之于报导。迄今为止，已在很多半导体器件中观察到负 电容现象，但是几乎所有报导中都未正确地区别表观电容和结电容，且采用不同 方法测量的电容数据相去甚远，更难以同作者们提出的理论模型定量地符合。 在本文中，我们详尽地搜寻和考察了已有的有关负电容的几乎所有的报导， 总结了已取得的结果和尚存在的不足，重点放在对各种测试方法的分析和讨论 上，并提出了一些改进意见。我们详尽地分析了半导体二极管正向交流特性，给 出了结电容及其它一些参数在各种条件下的表达式。我们发现，在正向偏压下， 交流特性的实部和虚部总是紧密联系在一起的，必须同时测量，一并计算。利用 我们提出的方法，我们测试了GaN基肖特基二极管和发光二极管的正向交流特 性，发现在较大电压下它们大都呈现负电容现象。一般说来，频率越低，电压越 高，负电容现象越明显。肖特基二极管负电容可能与陷阱效应有关，GaN基发 光二极管的负电容效应则很可能与发光有关。 实验结果表明，本文提出的方法是可靠、灵敏的，它有望在器件的应用和理 论研究上发挥更重要的作用。 关键词：GaN，肖特基，发光二极管，结电容，负电容 ABSTRACT Electricalcharacterizationof an semiconductoriS researchfield． alwaysimportant Butweseelittleof aboutthe of published normal electronic report analysis characterizationof with semiconductorAC atforward tono、v-the signal bias．Up of havebeenfound in semiconductordevices． phenomenanegativecapacitance many Butmostof couldn’t the differentiate from reports junctioncapacitance apparent in dataof these much show differencefromeach capacitance．Thecapacitancereports be cannotcoincident withtheidealmodelbuiltthe other,and they quantitatively by authors． Inthis searchedandstudied the thesis，we almostall about