半导体纳米球、、管结构及氧化研究.pdfVIP

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  • 2016-01-20 发布于四川
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半导体纳米球、、管结构及氧化研究.pdf

半导体纳米球、、管结构及氧化研究

本研究工作是用全势能线性muffin.tin分子轨道动力学(FP. m羽的m∞-)方法对重要的半导体硅纳米团簇的傅氏结构、堆积纳 米线结构、环型结构以及由环型结构堆积而成的纳米管结构进行了 详细的研究,同时我们还用改进的FP.LMTO—MD方法全面研究了 小硅和小锗离子性团簇的几何结构和电子结构,得到了如下重要结 果: 1,计算发现与碳傅氏结构对应的这些硅笼子结构(如SiSi,。和 Si∞)是不稳定的,它们不同程度地都要发生结构畸变,畸变后的结 构虽可以达到局域极小,但它们的稳定性比另一种堆积结构要差。 进一步对它们的离子结构进行研究,发现存在类似结论。 2,第一次完整研究了一种硅纳米线结构。这种结构由三帽三棱柱堆 积而成,它们在理论上是最细而又可以稳定存在的硅纳米线结构, 它们的提出有助于在实验上探索硅纳米线的生长机理。 3,第一次报道了一种新颖的硅环型结构和由此堆积而成的硅纳米管 结构,这对合成硅纳米管提供了一种理论模型。 4,对非常重要的小硅团簇氧化机理进行了详细的研究,成功解释了 实验结果。 5,对小硅和小锗离子团簇进行细致的理论计算,发现了一些团簇的 新结构比以前报道的基态结构更稳定。 Abstraet Inthis linear-muffin-tin article,full-potential the to indetail isusedinvestigate dynamics(FP-LMTO-MD)method andnano-tubes fullerene stacking nano-wires,nano-rings cages,stacked is FP-LMTO一/vii)method from employed addition,a improved tings.In small to the andelectronicstructuresfor geometrical studycompletely obtainedareasfollows。 Geclusters。Theresults and Si important charged fullerene as and carbon Sit0)to 1。The cages(suchSi36,Si50 corresponding tobenot would futterenestruc继es鑫瓣羲黼d

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