双极晶体管辐射应及深能级缺陷研究.pdfVIP

Classified Index: V520.6 U.D.C: 621.3 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering RADIATION DAMAGE EFFECTS AND DEEP LEVEL DEFECTS IN BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR Candidate ： Liu Chaoming Supervisor ： Prof. Geng Hongbin Assistant Supervisor ： Dr. Li Xingji Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Speciality ： Materials Science Affiliation ： School of Materials Science and Engineering Date of Defence ： April, 2013 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 本文以双极晶体管为研究对象，通过辐照源特点及模拟计算分析，选取电 子、质子、Co-60 射线及重离子作为辐照源，研究了双极晶体管电离效应、 位移效应及其协合效应的特点和电性能退化规律。基于双极晶体管辐射效应和 电性能退化规律表征、深能级瞬态谱分析及退火效应研究3 种技术途径，揭示 了双极晶体管的电离效应、位移效应及电离/ 位移协合效应的机制，建立了双 极晶体管电离损伤和位移损伤量化模型。 研究结果表明，不同种类的辐照源辐照时，NPN 和 PNP 型双极晶体管的 电性能参数呈现类似的变化趋势，器件类型对电性能参数变化趋势的影响不 大。电离辐射损伤条件下，双极晶体管的电性能参数退化随辐照注量逐渐趋于 饱和。基于深能级瞬态谱(DLTS) 分析结果可知，电离辐射损伤会在双极晶体 管集电区产生类深能级缺陷信号，在 NPN 型晶体管集电区表现为多子俘获陷 阱，在 PNP 型晶体管集电区表现为少子俘获陷阱。位移和电离/位移协合辐射 损伤时，双极晶体管的电性能随辐照注量持续退化，未见饱和趋势。位移辐射 损伤在双极晶体管集电区中产生的深能级缺陷以多子俘获陷阱为主。基于双极 晶体管的电离损伤机制，构建了过剩基极电流的表达式，提出了双极晶体管电 流增益随电离辐照注量变化的简化模型，与试验数据吻合良好。 不同种类重离子辐照试验结果表明，在相同位移吸收剂量下，不同种类的 重离子对双极晶体管所造成的电性能退化程度和深能级缺陷浓度不同。穿透能 力较弱的粒子，易在射程末端产生级联效应，导致深能级缺陷浓度明显提高并 加剧晶体管的电性能退化；而穿透力较强的离子，主要在入射路径周围产生空 位及间隙原子，所产生的深能级缺陷的浓度较低，电性能退化程度较小。基于 入射粒子在晶体管基区产生位移吸收剂量分布的不均匀性和电离效应的影响， 提出了优化 NIEL 方法的新思路，建立了不同种类粒子位移损伤等效性转换关 系，与试验结果吻合良好。 经 20MeV Br 离子辐照的双极晶体管顺序进行 110keV 电子辐照时，随着 电子辐照注量的增加，电流增益的退化先逐渐恢复后继续加剧。DLTS 测试结 果表明，当低能电子辐照注量较小时，有利于低能电子产生的电离损伤使重离 子位移辐射缺陷信号部分恢复，导致双极晶体管的电流增益逐渐恢复；当低能 电子注量较大时，低能电子电离辐射损伤效应增强，促进重离子位移辐射缺陷 - I -