快凝Ni-Si非晶合金在纳米晶化过程中的微结构变化及其对电阻温度特性的影响.pdfVIP

摘 要 摘 要 带，然后通过对P述快凝合金的真空炉内等温退火处理，制备出了Ni-Si-B纳米晶 合金带材，并从以下几个方面对NOSi-B非晶合金在纳米晶化过程中的微结构变化 及其对电阻温度特性的影响进行了研究。 晶含金的热稳定性；采用XKD检测了各试样在纳米晶化过程中析出的晶化相；并 通过180。对折初步测试了其非晶合金与纳米晶合金的脆化程度。发现：Ni—Si-B at％增加时，晶化方式从二次 非晶合金的纳米晶化过程因Bat％不同而各异，当B 晶化变为一次晶化，并且其初晶晶化温度升高。对于上述结果，本文采用Dubois 的结构单元模型与卢柯的切变沉积晶化机制进行了初步分析，对其晶化过程与脆 化机制也进行了初步探讨。 与纳米晶合金的体内结构形貌进行了考查。发现：Ni-Si-B非晶合金的纳米晶化从表 面开始，首先初晶晶化析出Ni(si)无序《Fo时为有序)固溶体，而后向体内发展， Ni3B呈花瓣形镶嵌在剩余非晶基体中。 3．通过对Ni-Si-B非晶合金与纳米晶合金XKD谱线强度与形状的分析，采用 计算机拟合分峰法，测出了Ni-Si-B纳米晶合金中各纳米晶化相的平均晶粒尺寸L。 和体积分数f。。通过对Ni-Si-B非晶合金部分晶化前后其DSC曲线的分析，本文 提出了一种估算部分晶化非晶合金结晶度xc的DSC方法，据此测出了各试样纳米 晶合金的Xc。根据这些测试结果，考查了退火温度Ta与退火时间ta对Ni-si-B非 晶合金纳米晶化的影响。发现：纳米晶L。和f。；随Ta升高或ta延长而增大，且在纳 米晶化的前阶段，L。与f。呈“近线性”关系：初晶晶化时，Ni(Si)相含量x眦Si)较大， 而Ni3Si相含量x。。较小；共晶晶化时，XNi(s。)存在上限，其纳米晶合金xc的大小主 要取决于Ni3B晶化相析出的程度(x。，。)。 4．采用直流四端接线法测试了Ni-Si-B非晶合金与纳米晶合金在20—120℃ 区间的电阻温度特性蹦T)；并考查了升温方式、升温速率与热历吏等对非晶合金 NT)的影响；特别是详细考查了晶化相的种类、晶化相的晶粒尺寸L。和相含量xt。 摘 要 at％ 等与纳米晶合金审温电阻率pn和电阻温度系数TCR之间的关系。发现：当B 增加时，淬态非晶合金p。增大且TCR藏小：当Ta升高或ta延长时，退火态杼晶 合金电性能变差(Po下降，TCR上升)，但中低温退火对非晶合金电阻温度特性的热 稳定性有所改善：V-_于纳米晶合金，则随xc增大，其p0进一步下降而TCR进一步J一 升，并且Po和TCR的变化幅度与析出晶化相的方式、种类和相含量有关。 晶合金与纳米晶合金的实验结果进行了分析与讨论。研究表明：Nagd推广的液态 金属Ziman理沧及其推沦能较好地解释Ni-si_B非晶合金的电阻温度特性：当退火 未使纳米晶化相彼此互相连接时，Maxwell电介质理论可初步说明单相纳米晶合金 的电阻温度特性。特别是，根据本文提出的高类金属含量Ni-基非晶合金总有效传 导电子浓度z值的估算方法，通过z值的估算，能有效地预测Ni-Si—B淬态非晶合 金po的大小及TCR的正负。～一 关键同：Ni-Si—B 电阻温度特性 相含量 晶化 非晶合金 纳米晶合金 EDX XRDTEM 脆化DSC Ⅱ ABSTRACT ABSTRACT ribbons Inthis were Ni70+xSiloB20-。(x=0，2，4，6，8)aDoy