脉冲激光法制备基ZnMgO合金薄膜及其特性研究.pdfVIP

摘要 (近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO 哺十作尧电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研究方 向。将ZnO与M90形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO 合金半导体禁带宽度的目的：y 20、 本文采用脉冲激光法，用四种Mg含量不同的陶瓷靶，ZnO、Zno8Mgo Zn063Mgo370、Zno 7000C生长ZrlMgO合金薄膜。主要的研究工作如下： 本文首次报道 1．目前，znMgO合金薄膜大多数以蓝宝石或ScAIM904为衬底 了在硅葙诘五五磊光法沉积znMgo合金薄 衬底与器件传统 的硅平面工艺兼容，为硅基光电集成的实现奠定淞黜厶鬯。 硅歹为厂 2．在国内首次采用PLD方法生长ZnMgO合金薄膜。 3．关于衬底温度对ZnMgO合金薄膜的晶体质量、光学特性等方面的影响的报 厂＼ 道很少，本文率先对这方面进行了探讨、映验表明随着衬底温度升高，薄膜 、 中Mg含量增大，相应合金薄膜的禁带宽度增大。衬底温度为650。C时得到 的合金薄膜晶体质量最好，XRD图谱中仅出现(002)峰，半高宽仅为0．190， 薄膜高度C轴取向 合金薄膜与ZnO的晶格失配度仅为O．5‰取得 了比较领先的结果 膜紫外发射峰相对ZnO的紫外发射峰产生蓝移．即由于Mg的掺入，ZnMgO 薄膜的禁带宽度增犬嵫实验中，用靶材‰8Mg。．20，在村底温度为650‘C 时沉积的台金薄膜晶体质量最好，其带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高 达159．优于目前国际上的报道。，＼ 7 ＼^ 5．研究了不同靶材对合金薄膜晶体质量的影响。啮Mg含量小于37％时，ZnMgO 薄膜为单一相，当Mg含量大于37％时，开始出现MgO的相偏析。同时，， 随着靶材中Mg含量的增大．ZnMgO合金薄膜(002)峰的半高宽增大。I 6．在ZnMgO合金薄膜分别在氧气、氮气中500C退火l小时，初步研究了不 同退火条件对薄膜晶体质量的影响。 ACT ABSTR leads ZnOshowed tobe to devices，wich appliedoptoelectronic largepotentiality to workon semiconductor the theresearch composition， varyingMg ZnMgO alloy．By betuned． theband Can alloy energyofZnMgO gap Inrecent were on or For