CMP材料去除机制的研究进展.pdfVIP

2011年5月 润滑与密封 Mav2011 第 36卷 第 5期 LUBRICAT10N ENGINEERING Vo1．36No．5 DOI：10．3969／j．issn．0254—0150．2011．05．024 CMP材料去除机制的研究进展 蒋建忠 袁晓林 赵永武 (1．江南大学机械工程学院 江苏无锡 214122；2．常州轻工职业技术学院 江苏常州 213004) 摘要 ：CMP已成为 Ic制造 中的关键工艺之一 ，其材料去除机制及理论模型的研究已经成为当前 CMP研究的热点。 综述基于流体润滑、磨粒磨损、化学作用、原子／分子去除等不同机制的集成 电路芯片化学机械抛光 (CMP)材料去除 率的理论模型的研究现状和进展，分析和比较基于不同假设的理论模型，展望CMP材料去除机制研究的未来发展方向。 CMP理论真正应用于实际生产指导，许多影响因素的定量研究还要细化，抛光盘的黏弹性和抛光液的流体动力学性能 对 CMP过程 的影响还需深入研究。 关键词 ：机械化学抛光 ；材料去除机制 ；模型；芯片 中图分类号：TGI15．58；0484．4 文献标识码 ：A 文章编号：0254—0150 (2011)5—101—5 RecentProgressin Studyon theM aterialRemovalM echanisms duringChemicalM echanicalPolishing JiangJianzhong YuanXiaolin ZhaoYongwu (I．SchoolofMechanicalEngineering，SouthernYangtzeUniversity，WuxiJiangsu214122，China； 2．ChangzhouInstituteofLightIndust~Technology，ChangzhouJiangsu213004，China) Abstract：Chemicalmechanicalpolishing(CMP)isoneofthemostimportantprocessesinICfabrication．Themecha— nism modelisthehotspotinCMPresearchincurrentstatus．A review wasgivenonthecurrentstateofandrecentprogress inthestudyonthemodelsofmaterialremovalmechanismsbasedonflowwearofslurry，abrasivewear，chemicalactionand atom／molecularremovalduringehemica~mechanicalpolishing(CMP)．A summarywasmadeontheresearchprogress aboutthemodels．Thedifferentassumptionsofthemodelswereinvestigatedandthemodelswerecompared．CMPmodels and itskeyproblemsaboutCMP inthethturewereprospected．ThequantitativestudiesofmanyinfluentialfactorsofCMP mustbeextendedindetailbeforeCMPmodelcanbeusedtodirectICfabricationauthentically．Theaffectsofviseo—elastic— ityofpadandfluentpropertiesofslurryonCMPprocessneed in—depthstudies． Keywords：chemicalmechanicalpolishing；materialremovalmechanism ；model；wafer 随着 IC器件尺寸的缩小、集成度提高，芯片表