300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究.pdfVIP

团■ j‘璧 塑 —— cMP工茎艺与堡设备鱼 300mm硅片化学机械抛光压力 控制技术研究 王东辉，郭强生，柳 滨，陈 威，王 伟 (中国电子科技集 团公司第 四十五研究所 ，北京 101601) 摘 要 ：介绍 了一种应用于硅 片化学机械抛光 (CMP)设备的压力控制技术 ，综合利用在线检测 方法和离线检测方法 ，借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值 、气缸气压值、传感 器示值 以及检测仪器测试值之 间的关系。并建立了主轴压力闭环控制系统 ，达到精确控制主轴压 力的 目的 工艺实验证明，主轴压力闭环控制系统稳定、可靠、精确。 关键词 ：化学机械抛光：压力检测 ；数据处理 ；闭环控制 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004．4507(2011)08．0001．05 StudyonPressureControlTechnologyof300mm PrimeW aferCM P WangDonghui，GuoQiangsheng，LiuBin，ChenWei，WangWei (The45ResearchInstituteofCETC，Beijing065201，China) Abstract：Thispaperintroducesapressurecontroltechnologywhichisappliedto300mm primewafer chemicalmechanicalpolishing (CMP)equipment．Utilizingthemethodofonlinedetectionandoffiine detection，therelationshipamongthevalueofpolishingspindlepressure，cylinderpressure，spindle sensorand testinginstrumentisanalyzedbyusingtheMatlab numericalanalysissoftware．Thenthe closed—loopcontrolsystem ofspindlepressureisestablished．Theobjectiveofcontrollingspindle pressureaccuratelyisachieved．Thetechnicalexperimentprovedthattheclosed-loopcontrolsystem of spindlepressureissteady，reliableandaccurate． Keywords：CM P；PressureDetection；DataProcessing；Closed—loopControl 目前，硅单晶己实现大规模工业生产，超大规 不断缩小，对硅片表面的平坦化程度提出了更高 模集成电路 (1C)制造技术已经进入 300mm时 的要求…。 代 。随着 晶圆尺寸的不断扩大与芯片特征尺寸的 在硅片表面的平坦化过程 中，抛光压力是一 收稿 日期 ：2011-06—14 基金项 目：国家重大科技专项 (2009ZX02011-005A) CMP工艺与设备 电 字 工 业 专 用 设 罱 个重要的物理参数 。通常抛光压力增加，机械作用 增强，抛光速率也增加，但使用过高的抛光压力会 导致抛光速率不均匀、抛光垫磨损量增加、抛光区 16 域温度升高且不易控制、使出现划痕的几率增加， 从而降低了抛光质量[。 因此，稳定、可靠、精确地控制抛光压力对于 提高抛光速率和质量具有十分重要的意义。 10 1 主轴压力控制原理