铁磁薄膜与极性no表面相互作用的同步辐射光电子能谱研究.pdf

摘要 摘 要 随着近年来高密度存储设备的发展需求，Fe、Co等磁性超薄膜与各种氧化物 衬底的界而研究引起了广泛的关注，包括薄膜的磁性，界两的电性能，化学稳定 性在内的一系列界面的物理化学性能都成了研究的重点。随着磁性薄膜在氧化物 表面的生长，界面作用诸如界面的化学态，界面之间的互扩散，以及不同的界面 结构都会随着薄膜厚度的增加而相应的变化，而这些界面作用的不周必然导致整 个界面性能的改变，通过研究界面作用随厚度的改变可以分析出相应的界面性能 的变化，这将对界面体系的应用极具实际意义。同时，通过界面的退火可以有效 促进磁性介质向氧化物中的扩散，这种方法正作为稀磁半导体的一种有效制备手 段而得到重视。 本文主要通过光电子能谱技术研究了磁性Fe、Co金属超薄膜在极性 ZnO(000±1)表面的生长和退火时电子结构的变化，并辅以原子力显微镜(AFM) 和场发射扫描电子显微镜(FESEM)，以及超导量子干涉仪(SQUID)等对样品的表 面形貌，磁性等作相应的考察。主要的研究结果如。F： 1．‘利用同步辐射角分辨光电子能谱(SRAP．PES)技术和光电子衍射(PD)技术 研究了获得的清洁ZnO(000—1)表面，并初步获得了ZnO在rA、FM方向上的能 带色散及ZnO在[．1100】平面内的光电子衍射结果。 2．室温下，对Fe与不同极性ZnO界面的XPS和SRPES研究结果显示，Fc 的生长模式依赖于ZnO衬底的极性，Fe在ZnO(0001)表丽旱二三维岛状生长，而 l 的研究结果显示，初始沉积的Fe明显被表面氧氧化为Fe2+离，了，在Fe覆盖度为 0-3nm的范围内，分别观察到与界面电荷传输、化学作用以及磁性相关的0．5ML， 1ML，3ML等三个有意义的临界厚度。同时室温下对Fe／ZnO(000一I)存沉积时的 共振光电发射研究显示，Fe初始时与ZnO的作用并没有引起ZnO导带的显著变 化，Fe与ZnO呈现弱相互作用。 3．对3nm Fe／ZnO(000—1)退火过程的同步辐射光电子能谱(SRPES)，原子力 摘要 面形成的3D岛状结构出现解聚过程；在3000C到6000C之间，Fe的解聚薄膜再 次团聚形成较大的颗粒薄膜，并导致衬底在6000C时重新暴露；Fe与ZnO的界 面化学作用发生在6000C左右，Fe随着温度的上升逐渐被氧化成Fe2+，温度超 衬底在高温下的分解，所释放出来的活性氧成为界面氧化一还原反应的～个主要 果显示，样品的矫顽力随着退火温度增加而增大。9000C高温退火样品中的铁磁 性则说明界面反应巾铁磁相的形成。 4．对Co／ZnO界面的生长和退火过程的同步辐射光电子能谱(SRPES)研究 显示。室温下Co在不同极性ZnO面上的生长都显示较强的反应活性，在Co膜 厚度达到0．45nm B,J‘，依然能够显示很强的C02+氧化峰。1．1nm．Co／ZnO界面的退 火结果显示，2000C的退火导致了ZnO衬底峰的加强，并且在室温到3000C之闯 的退火并没有导致明显的Co．ZnO之间的氧化．还原反应，Co在3000C之后逐渐 由金属态氧化为C02+。一系列的RPES结果显示，Co与ZnO的界面作用主要形 不同Co覆盖度下的Zn3d部分电子产额潜(PEYS)研究显示，Co的出现也导致 了ZnO导带结构发生了改变，形成了可能起源于Znl．xCoxO磁性掺杂相的边前 峰结构。对退火过程中Co／ZnO的价带研究发现，6000C的退火温度可以大大促 进Eb=3．4eV峰的增强，反映了此温度下可能更适合Co掺杂相的形成。 关键词磁性金属薄膜，Fe，Co，ZnO，界面作用，同步辐射光电子能谱，共振 光电子能潜 Il Abstract ABSTRACT Withthe demandof behavior devices，the increasing high—densitystorage ofultrath