第一章半导体物理基础(一)精品.pptVIP

* 受主杂质/P型杂质 空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。 受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态。 空穴型半导体/P型半导体 纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多（空穴密度大于电子密度），增强了半导体的导电能力，成为主要依靠空穴导电的半导体材料。 * 受主能级用离价带顶EV为ΔEA处的短线段表示，受主能级上的小圆圈表示被施主杂质束缚的空穴。箭头表示被束缚的空穴得到电离能后从受主能级跃迁到价带成为导电空穴（即价带顶的电子跃迁到受主能级上填充空位）的电离过程。价带中的小圆圈表示进入价带中的空穴，Θ表示受主杂质电离后带负电，成为不可移动的负点中心。 空穴得到能量ΔEA后，就从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴，被受主杂质束缚时的空穴的能量比价带顶EV低ΔEA，称为受主能级，用EA表示。由于ΔEA远小于禁带宽度Eg，所以受主能级位于价带顶很近的禁带中。 * 综上所述 掺入半导体， 分别成为 受主杂质 施主杂质 在禁带中引入了 新的能级，分别为 施主能级：比导带底低ΔED 受主能级：比价带顶高ΔEA 常温下，杂质都 处于离化态 施主杂质向导带提供电子而成为正电中心 受主杂质向价带提供空穴而成为负电中心 分别 成为 N型半导体 P型半导体 * 施主 donor 受主 acceptor * 杂质的补偿作用 问题 假如在半导体材料中，同时存在着施主和受主杂质， 该如何判断半导体究竟是N型还是P型 ？ 答 应该比较两者浓度的大小， 由浓度大的杂质来决定半导体的导电类型 施主和受主杂质之间有相互抵消的作用 * 晶列：通过任意两格点所作的直线（晶列上有一系列格点） 特征：同一格点可引出无限晶列；平行晶列构成族。 晶向：在坐标系中晶列的方向（确定晶向的方法待定）；用晶列指数表示，如[110]。 晶面：通过晶体中三个不在同一晶轴上的三个质点所作的平面。晶面用晶面指数（密勒指数）表示，如（111），（100）…… 特征：平行晶面格点分布相同，称同一族晶面 1.1.2 晶体的晶向与晶面 * a、晶列的表征-晶列指数 三个轴上互质整数表示。 一列用[a b c]表示，如： [100] [110] [111] 一族用a b c表示，如： 100 110 111 b、晶面的表征-晶面指数（密勒指数） 三个轴上截距倒数的互质整数表示。 某晶面用(a b c)表示，如：(100) (110) (111) 一族用{a b c}表示，如： {100} {110} {111} 晶列与晶面表征 * 晶向指数是这样得到的： （1）确定某平面在直角坐标系三个轴上的截点，并以晶格常数为单位测得相应的截距； （2）将三个截距其化简成最简单的整数比； （3）将此结果以“[hkl]”表示，即为此平面的密勒指数。 * 一个简单的晶体结构 * * * 密勒指数是这样得到的： （1）确定某平面在直角坐标系三个轴上的截点，并以晶格常数为单位测得相应的截距； （2）取截距的倒数，然后约简为三个没有公约数的整数，即将其化简成最简单的整数比； （3）将此结果以“（hkl）”表示，即为此平面的密勒指数。 * 如图，晶面ACC’A’在坐标轴上的 截距为1，1，∞， 其倒数为1，1，0， 此平面用密勒指数表示为（110）， 相同指数的晶面和晶列互相垂直。 * 例 * 单个原子的电子 电子 1.能级 电子绕原子核是按层分布的，每层电子的能量是固定的。我们把电子所具有的能量用线条表示出来，标志电子能量高低的线条就叫能级。 电子受到原子核和其他电子的共同作用。 - E1 E2 E3 原子核 能级 1.2 半导体中的能带 和杂质能级 * + 原子的能级（电子壳层） + + 2.能级特点 越是外层，电子的能量越高 * 晶体中的电子 当原子间距很小时，原子间的电子轨道将相遇而交叠，晶体中每个原子的电子同时受到多个原子核和电子（包括这个原子的电子和其他原子的电子）作用。 电子不仅可以围绕自身原子核旋转，而且可以转到另一个原子周围，即同一个电子可以被多个原子共有，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转到相邻原子，将可以在整个晶体中运动。 * + + + + + + + 原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动 + + + + * 由于晶体中原子的周期性排列而使电子不再为单个原子所有的现象，称为电子共有化。 在晶体中，不但外层价电子的轨道有交叠，内层电子的轨道也可能有交叠，它们都会形成