窄能隙分子及相关材料电子结构的理论的研究.pdfVIP

摘 要 硅基电子学已发展至极限，未来的集成电路将由独立的分子及其有限聚集体 构成。因此，分予器件及分子电子学引起人们极大的兴趣。本论文主要对可用 于分子电子学的窄能隙分子——M(ETTF)2(M．金属，ETTF。四硫富瓦烯衍生物) 进行系统的理论研究，发现： 1． 发现第l 双自由基态，中心金属呈+2价，两个负一价配体上的自由基呈反铁磁 耦合；第l 三重态，中心金属呈+2价，两个负一价配体上的自由基呈铁磁耦合； 发现厘清了前人对此体系的分子电子结构认识不清的问题，为后人的研 究奠定了理论基础。 2． 和四重态的中心金属分别具有不同的价态，且该两个电子态的能差很 小。通过计算二重态和四重态在不同温度下的自由能，我们的理论计算 构，且对应的转变温度会随ETTF的电负性增加而降低。 3． 实验发现，含有不同取代基团的Ni(ETTF)2导电性差异很大。如在室温 导率只有104S／cm2。我们对Ni(ETTF)2二聚体的计算，发现分子间和分 子内发生反铁磁耦合相互作用在能量上是有利的，不同取代基会影响重 整能，