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BME Chapter 5 Silicon Micromachining: Bulk 5.1 Introduction 體型微加工 (bulk micromachining) 一詞表示這個型式的微加工是用來在單晶矽 (SCS) 晶圓的基體內，以選擇性移除晶圓材料來實現微機械結構。 製造微機械結構： Beam Diaphragm Groove Orifice Spring Gear suspension 在體型微加工中利用的蝕刻製程包含一種或多種下列的技巧： 1. 濕式等向性蝕刻 2. 濕式非等向性蝕刻 3. 電漿等向性蝕刻 4. 反應離子蝕刻 (RIE) 5. 蝕刻停止技巧 5-2 Isotropic and orientation-dependent wet etching 大部分的濕式蝕刻是等向性的，但有些濕式蝕刻是非等向性的 範例 零件一：Mechanical Velcro (a) 受插入壓力的損壞面積和 (b) 對損壞面積的拉伸強度 故障分析： 矽微魔鬼沾故障模式的簡單懸臂模型 製作懸臂所需的罩幕 5-3 Etch-stop techniques 濕式蝕刻反應是一種電荷傳輸現象 蝕刻速率的影響因素： 使蝕刻停止的方法： Doping-selective etching(DSE) Bias-dependent etching(BSE) 5-3-1 Doping-selective etching 用於矽膜的製作 方法：磊晶成長或由擴散或佈植硼進到淡摻雜的基板，產生薄的重摻雜硼層 優缺點： 5-3-2 Bias-Dependent etching (Electrochemical Etch-stop) 電化學蝕刻機制的基本步驟如下： 1. 電洞入射到半導體內以提升它到更高的氧化狀態Si＋ 2. 帶負電荷的氫氧族(OH－) 連接到帶正電荷的Si＋ 3. 氫化的矽和溶液中的錯合劑反應 4. 反應產物在反應物溶液中溶解 電化學蝕刻停止機制： 在KOH中n-Si和p-Si的電流－電壓特性: 在 OCP 及 PP 上 I=0 傳統電化學蝕刻停止技術的優缺點： four-electrode electrochemical cell： 製作薄隔膜陣列的方法：(a) 氧化層罩幕設計(b) 電化學電池提供背面蝕刻。 5-4 Dry etching: single-crystal reactive etching and metallization, SCREAM 用於製造濕式蝕刻所無法製造的suspended mechanical structures and actuators 矽蝕刻參數 範例 零件六： 含四個栓鏈矩形平板的浮接感測器 * * 0.21 0.5 1.25 11 1 126 39?66 57 99 8 84 25?42 51 176 24 80 75 110 118 75 KOH: H2O KOH EDP N2H4: H2O NH4OH Si(111) Si(110) Si(100) 蝕刻速率 (μm/hour) 溫度 (?C) 蝕刻液 濕式蝕刻液對單晶矽的非等向性蝕刻特性 製作矽微魔鬼沾的製程流程 接合矽「魔鬼沾」包含的基本步驟 機械測試： 範例 零件二：Cantilever Beam 製作和釋放懸臂的四個製程步驟 0.025?0.1 0.25?1.0 65 NaOH (H2O) 0.07 1.4 85 KOH (H2O) 0.015 0.75 115 EDP (H2O) 對硼摻雜~1020 cm?3的 (100) 蝕刻率 (μm/min) 對硼摻雜 1019 cm?3的 (100) 蝕刻率 (μm/min) 溫度 (?C) 蝕刻液 (稀釋液) 範例 零件三：An Array of Thin Membranes 範例 零件四：Cantilever Beam of Thin Membranes 範例 零件五：Cantilever Beam with integrated aluminum electrodes 2 3 28 20 20 30 14 14 0 28 28 4 0 4 28 1 2 3 時間 (min) 壓力 (mTorr) H2流動速率 (sccm) BCl2流動速率 (sccm) Cl2流動速率 (sccm) 步驟 5-5 Silicon Fusion Bonding In micromachining, bonding techniques are used to a