SBN：Cr晶体中光折变过程的电场响应特性的研究.pdfVIP

SBN：Cr晶体中光折变过程的电场 响应特性研究：一： 摘要 作为一种在红光区具有较高光折变灵敏度和快速响应的优质光折变材料， SBN：Cr晶体具有重要的研究价值。通过分析光折变效应的微观机制，可知外加直 流电场能够显著地改变其光折变性能。本文依据光折变非线性光学的光波耦合理 论和传输理论，对SBN：Cr晶体在外加直流电场作用下的光波耦合特性和传输特性 进行了理论分析和实验研究，主要内容包括：(1)从理论上分析了外加直流电场 对光折变二波耦合增益的影响，给出了SBN：60晶体的强度增益系数厂随外加电场 变化的理论计算曲线。由两块不同掺Cr浓度的SBN：61：Cr晶体得到的实验结果同 时表明，适当的外电场作用能够有效提高晶体的二波耦合增益，并且，外电场的 作用使晶体的响应速度大大提高，而晶体的最佳耦合角与外电场之间没有明显的 依赖关系。(2)研究了外加直流电场作用下SBN：6I：Cr晶体的二波耦合特性在光 学图像边缘增强以及光折变边缘增强联合变换相关器等方面的应用，讨论了外电 场对光折变边缘增强及光折变联合变换相关识别效果的影响。发现利用晶体的二 波耦合非线性放大原理，实现光学图像的边缘增强时，适当的外电场可使图像边 缘增强的效果进一步提高。应用于光折变边缘增强联合变换相关器时，通过外加 电场，可使联合变换相关器的相关识别性能进一步改善。(3)初步研究了两块不 同掺Cr浓度的SBN：61：Cr晶体中的屏蔽型空间孤子效应，以及不同外加直流电场 作用下光束在晶体中的传输，给出了晶体出射表面处光斑直径随外电场的变化曲 线，并分析了晶体中空间电荷场的饱和效应对实验结果的影响。(4)讨论了 SBN：61：Cr晶体在外加直流电场作用下的光感应光散射现象及其消除方法，提出通 过引入另外一束相对高强度的光束(相干或者非相干)，利用其对散射光栅的擦除 作用消除信号光束的散射。 关键词：光折变外加电场SBN：cr晶体二波耦合边缘增强联合变换相关器空 间光孤子光感应光散射 +国家自然科学基金(批准号资助项目 望!!三些垄童堡主童堡垒圭 ofElectric-field Investigation EffectsofPhotorefractive in ProcessSBN：Cr Crystals舟 Abstract SBN：Cris oneofthemost materialsforvarious promisingphotorefractive nonlinear tO optical due its and applications highphotorefractive sensitivityrapid inred the micro responsespectral mechanismof region．Byexamining photorefractive canfindthatanexternal effeCt，we dcelectric—fieldcan orworsen、 greatlyalter(improve the ofSBN：CLSo photorefractive