光电耦合器噪声测试技术和可靠性噪声表征的研究.pdfVIP

摘要 本文在详细分析光电耦合器电学特性和低频噪声的基础上，进行了噪声用于 光电耦合器可靠性表征方法的研究．取得了以下研究结果： 1、设计并制作了一套适用于现有常见军用光电耦合器噪声测试偏置盒，与虚 拟仪器的半导体器件低频噪声测试系统连接，构成半导体光电耦合器的低频噪声 测试系统。实验验证表明若以通用仪器组建的测试系统为基准，本文测试系统的 相对误差小于5％． 2、本文在深入研究发光二极管工作原理及l／f噪声载流子数涨落理论和迁移 率涨落理论的基础上，建立了发光二极管的电性能模型及1，f噪声模型。通过对模 型研究发现吒．(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要 因素，并与器件可靠性有密切关系。而低频1／f噪声可表征M一和扩散电流比率． 在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声，实验结果与理论模型符 合良好。本文还证明了发光二极管噪声幅值越大，电流指数越接近于2，器件可靠 性越差，失效率则显著增大． 3、在发光二极管模型的基础上，研究光电耦合器可靠性噪声表征。通过所建 立光电耦合器电学模型和噪声模型，发现表征光电耦合器可靠性的重要表征参量 CTR与低频1，f噪声之间定性的关系。所(，)接近1表明器件中的噪声主要为扩散 l／f噪声，心。和晶体管中的岷、心应较小：反之尻(，)接近2，则以复合1／f 噪声为主，虬。和晶体管中的氓、Ⅳ。应较多或增多．以上结果表明噪声可以较 电学参数更准确地反映器件可靠性，噪声幅值越大偏离标准值越多， 厉(13越接 近于2，则器件的可靠性也就越差。 关键字：光电祸合器，l，f噪声模型，电特性模型，可靠性表征 BasedOiltheelectrics andthecharacteristicsof noisein principle 1／f OCDs，the valuable methodof noiseis obtains 1／f developed,and evaluatingOCDs’reliabilityby resultsas following： low commoil set 1． Anew noise circuitof militaryOCDs，is frequencytesting inthefirsttime．Thelow noise and of up frcquencytestinganalyzingsystem basedOiltheideaofvirtual ofthe OCDsl instrumentation,consiststesting and device．Base011this circuitandthe ofelectronic testinganalyzingsystem of noiseinOCDs thatthe difference agetested．It con删ive system，1／f proves