硅微通道结构释放及其整形技术的研究.pdfVIP

摘 要 本论文进行的工作是在硅微通道结构释放技术方面，以不同质量分数的TMAH溶液 对硅背部进行腐蚀，从实验结果中分析了不同质量分数的TIVlAH溶液中硅的腐蚀速率以 及不同质量分数的TIVlAH溶液中硅腐蚀后的表面平整度，从而证明了用湿法腐蚀技术进 行硅微通道背部减薄是可行的，腐蚀速率也是比较容易控制的：在不同质量百分比的 TlVlAH溶液中，结构释放后硅表面的平整度也是不同的。在硅微通道整形技术方面，通过 设计特殊的光刻掩模板从而锁定硅表面的特定区域，用台阶仪测量了三种表面晶向的 硅，从而测得了三个晶向的腐蚀速率，测量的条件选用了不同的温度和不同的TMAH质 量百分比的腐蚀液。而后设计了整形实验，利用硅在TMAH溶液中的各向异性腐蚀特性， 依据测得的硅的三个晶向的腐蚀速率，选定了实验条件，在不同TMAH质量分数的溶液 中对硅微通道板进行了整形。从而证明了电化学刻蚀后的硅微通道板的形貌是可以通过 湿法腐蚀这～工艺进行整形的，并且这一过程在一定范围内也是可以在控制的 关键字： 硅微通道结构释放整形TMAH腐蚀 Ill ABSTRACT ， ： TheconductionofthisiStocorrodethesiliconwiththeTMAHsolutionofdifferent the of ofthesilicon thatthe through the technologyemancipation differentratesofthesiliconindifferentoftheTMAH alsothesurfaceflatnessof solution，and corrodedsiliconinthesolutionindifferentmoss confirmsthetruththat fraction，which thinthebackofthesiliconmicrcchannelwiththe of is cutting feasible， technologywetting andthe ratesismore to easier differentTMAHsolutionwithdifferent corroding control；In mass surfaceflatnessafterthestructure isalsodifferent．Inthe percentage，the emancipation silicon microchannelofthe side，to the mask technologyplastic designspecialLithography stencilinorderto the of areathesilicon threesortsof l