类金刚石及其掺硅类金刚石超薄膜的制备和摩擦学性能的研究.pdf

河南大学2005级高分子化学与物理专业硕士论文：王智 中文摘要 本论文采用实验室最新设计研制的FDJ600型高真空多功能沉积设备通过离子 束溅射以及射频感应耦合(inductivelycoupledpl嬲ma，IcP)化学气相沉积等方法， 积条件对超薄膜的摩擦学性能进行了研究。 一、 离子束溅射法制备DLC超薄膜的结构和摩擦学性能研究 采用实验室最新设计研制的FDJ600型高真空多功能沉积设备通过离子束溅射 DLC薄膜的表面形貌，结构和摩擦学性能进行了研究，并讨论了偏压对其结构和 摩擦学性能的影响。结果表明，不同的偏压对DLC薄膜的表面形貌，结构以及摩 擦学性能都有着较大的影响。在0～．350V的偏压范围内，随着负偏压的增加，薄 摩擦学性能不仅与sp3含量的多少有关，还与由于偏压的改变引起的薄膜表面粗糙 较少，导致表面粗糙度的增加以及薄膜中硬质粒子对薄膜进行犁削作用，都使薄 膜的摩擦学性能降低。 二、 射频感应耦合化学气相沉积类金刚石超薄膜的结构和摩擦学性能研究 coupled 不同偏压下制备的DLC薄膜的表面形貌，内部结构以及摩擦学性能进行了研究。 结果发现，利用射频感应耦合离子源以乙炔为气源在单晶硅基底上沉积了表面光 滑致密，具有良好减摩抗磨性能的DLC薄膜。衬底负偏压对DLC薄膜的表面形 III 一 塑堕查堂!塑!丝堕坌王些堂：!望堡童些堕±丝奎!兰塑 貌和结构都有着很大的影响。主要是由于偏压的增加提高了沉积离子的轰击能量 的摩擦学性能也有较大的影响。随着偏压的增大，薄膜的摩擦系数逐渐升高，减 摩能力有所降低。综合看来，在．100V的负偏压下所沉积的薄膜的综合性能最佳。 三、 掺硅类金刚石超薄膜的结构和摩擦学性能研究 11)基底上沉积DLC (inductivelycoupledplasma，ICP)选用乙炔为气源，在单晶硅(1 超薄膜的同时，利用离子束溅射固体单晶石墨的方法掺入Si元素。通过控制溅射 的能量来改变薄膜中Si元素的含量，避免了沉积过程可能会遇到的危险。并对制 备出来的DLC超薄膜的摩擦学性能进行了测试。结果发现，薄膜中硅元素含量的 大小对薄膜的结构和摩擦学性能都有着很大的影响，随着硅含量的逐渐增加，薄 膜中sp3键的含量也逐渐增多。当硅元素在薄膜中的含量在4％左右时，即所用的 溅射能量为400V时，薄膜的摩擦系数最低，摩擦学性能最为优良。 关键词：类金刚石超薄膜：掺硅类金刚石；摩擦学性能 Ⅳ 河南大学2005级高分子化学与物理专业硕士论文：王智 Abstract 11hereh邵beena of ofdianlond-lil【e wide瑚geapplications illthefieldof f10rtheir engineering certaill isaneedforul仃a．thin t0 outstaIldingproperties．1Ilapplications，there coatings wear iIlcludeoVercoatsfor improVe衔ction趴dperfom锄ce．T1woprimaDrex锄ples iIl heads绷d mediaharddisk锄d recently ma印etic