Cu2ZnSnSxSe4x薄膜太阳能电池吸收层材料的制备和表征.pdf

cu2znsns。se4。薄膜太阳能电池吸收层材料的制各与表征 Cu2ZnSnSxSe4．x薄膜太阳能电池吸收层材料的制备与表征 摘要 的最佳带隙(1．4～1．5eV)，高吸收系数(104cm‘1)，且元素储备丰富，作为一种 理想的薄膜太阳能电池材料而受到人们越来越多的关注，克服了CdTe， CuInl．。Ga。Se2(CIGS)因材料稀有所引起的限制。多个研究组已应用热蒸发法，磁 控溅射法和软化学法等方法成功制备出了Cu2ZnSnS4吸收层。基于该类材料的太 阳能电池光电转化率从1996年的O．66％提高至2011年的8．4％。近年来，IBM 公司采用联氨溶液沉积吸收层的方法构筑了CZTSSe基薄膜太阳能电池，其转化 效率高达9．6％；Guo研究小组采用后硒化CZTS吸收层薄膜同样制备了CZTSSe 基薄膜太阳能电池，其转化效率高达7．2％。这说明Se元素在掺入能有效的提高 CZTS基太阳能电池的光电转化效率。但是联氨溶液沉积中用到的水合肼具有很 强的腐蚀性，不利于工业化应用。而且后硒化过程中，温度超过400oC时会导 致Sn元素的损失，使薄膜的化学计量比难以控制并能引起薄膜的不均匀。因此 合成纯相的CZTSse纳米晶，并将其构筑电