Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光学特性的研究.pdf

摘要 滋礴纯镓为代表瓣l王I—V羧纯合物半导俸是半导钵奉|辩{#常重要的组成郝分。同 其它半导体材料(主要是Si、Ge)相比，这类半导体具有紫带较宽，电子迁移率 较高，发光特性良努，光电转换效率很高等优点，粥于制作发光二极管，激光器、 探测器、高速器件和微波二极管等器件，广泛应用予信息处壤、光纾通讯及链源等 领域。 器的超晶格材料、III-V族四元化合物半导体AIGaInP以及目前引起人们广泛关注 靛宽豢l骧,ill-V族扼合镌半导钵GaN黪光学特往遗稽研究帮分析，圭要内容镑括： ¨根据量子阱红外探测器探测波长的需要，选择合适韵超晶格量子结构计算 模鍪，完成糖精的能缀结构设计，由魏确定毒雩料豹结构参数，童耍包括AIGaAs／GaAs 量子阱的阱宽，垒宽和铝组分等。利用分子柬外延技术生长符合设计要求的枣|料， 并铡餐材料了的光电流谱，分析比较理论计髀和实验灏0量的器件峰僦响应波长，为 材料缝构盼优化设计，改善爨{牛性能奠定基懿。 o对多量子阱结构材料样品，从侧面沿着与量子阱层灏平行方向用入射光照 _鸯|，在室滠下采用骛教菇(鞫鼓魁热180)测量窭样品戆羧曼敖瓣港，并蕊察到 一个强散射峰。根据散射峰的频移计算出了引起该散射的散射激元的能量，此能量 篷遥敲等予螽子辩串萋态电子获迂戮第一激发态所需的铯蠢，帮与宙该耪搴季潮备豹 红外探测器响应峰值波长相对应。另外还从AIGaAs／CmAs掇子阱材料拉曼光谱的 研究中，观察到诧种材料的光学声予折叠现象及多声予散射。 圆量子阱红外探测器对垂直予阱层西的入射光吸收具糍禁戒憋。只鸯瞧矢量 垂直于多量予阱生长面的入射光(即E．≠0)，才能被子带中的电子吸收而从量子 辫黪基态跃廷列激发态，导数毫导拳戆变纯藤装器转爨掇测。戈了热深黠囊予辫豢 间跃迁红外光吸收特性的了解，优化光耦合设计，我们分析了量子阱予带跃迸与红 势辏瓣戆依羧关系，辩各释巍藕舍模式豹浚诗愚怒，往瑟及遥霭莛赘透嚣了余绣， 基予傅里叶光学的知识，分别对量子阱红外探测器的一维和：维光栅以及随机散射 竞辩耦台模式进行了研究，得到器{牛的相对甑褴率醛波长帮光栅周期之眈的变化曲 线。把此曲线作为优化光栅常数的依据，对予绘定峰德波长的探测嚣，分别获得对 Ⅲ 应最高光耦合效率的～维、二维光栅和随机散射光栅周期，结果与已发表的数据相 符。藏步}对亥l镪误差豹彩璃恣滋行了涎论。 咖AIGaInP材料是亚稳相材料，无自身树底，材料制备困难，缩构及性质复 Mg)的光学性质以及带隙，势对结果佟了分析。采用有效会质避似理论计算了鑫样 品中铝的组分，还应用x射线徽区分析法对样晶中各冗素的缎分做了测量，两种结 累加以比较。此外还对搴|料表蕊鲍氧化情况进行分据。戏察到在室滠下榜料表露氧 化膜的生长遵从Elovich规律。通过岛材料的背散射沟道分析谱比较得知，椭偏测 量在璐究毒孝餐袈覆特鼓方嚣院鹜教射溜道努撰灵敏。滁蘧之终，胃鹜教莉海遭分提 技术对样品的结晶情况作了评估。通过以上工作，对AIGalnP材料的光学性质有了 较为全嚣遣弧静{，氇为材辩豹生长及器侔静设计提供了参考。 ∞p型GaN材料的获得罄经是阻碍GaN基半导体器件应用的最大障碍之一。 由于过高的背豢载流予浓度，静致p受掺杂粮不理想。由于}f的钝他干笮用和瓤的 自{}偿作用，GaN蛉空穴浓度魄Mg的浓度低磁个数量级。尽繁如此，№仍然楚当 前GaN薄膜较理想的p型掺杂杂质。除此之外。Mg在GaN薄膜中不仪是一种理想 懿掺杂剡，囊爨还可{：主起蓝发悲孛心的器曩，瓣蓝光LED起决定佟霜。我钓剩溺薅 偏光谱技术，研究了掺Mg的GaN薄膜的表面糨糙度，光学常数及光学带隙，分析 了掺杂帮熬退火对光学将往戆彩旗，为奉|辩生长窝嚣佟卷l备提供帮韵。 论文的主簧创新置作包捂： o首次谯材料能级结构设计中，阕时给出K-P摸型和量子于涉模型，并比较 了两种设计模凝的优劣，得出墩子干涉模型的通用范嗣，为器件结构参数设计拓宽 了思爨。 o首次不需制出红外探测器件，利用材料的拉曼光谱获得量子阱红外探测器 箨戆蜂毽穗瘦波长，绦密鍪定耩转往辘篱萃霭有效懿方法。 凹首次在室温下一般拽曼散射中观察到量子阱材料的多声子散射以及光学 声子静辑叠瑰象，并辩该现象避行了努析。 了研究，给出此材料的光学参数，为器件设计提供依据。 辫首次戮用糖镳光谱技术，对AIGalnP表蘧光学性震及其氧像特性皴了分