薄漂移区横向高压器件耐压模型及其新结构.pdf

摘要 摘要 横向高压器件是高压集成电路的关腱器件，受到了众多学者深入的研究。随着半导 俸技术的快速发展，功率器件帮常藏低压器锋等罄：_铡减小。鸯于漂移区毫场的=维本质， 一维模型不能深入揭示其物理机理。对于采翔终端技术的高压器件，由予边界条件的复 杂使二维模型求解困难，因此反映横向和纵向电场耦合作用的电场和击穿电压模型亟待 建立。商粼中．击穿电压和导通电隰之闯的折衷关系，是众多器件设计者研究的热点。 设计具有与CMOS工艺兼容翁薄漂移区蘸蝌是功率半导体技术麴—个重要发羼方 向。 本文研究了薄漂移区高压器件的二维耐压模型和改善击穿电压和导通电阻折衷关 系酌薪结构。首次提高了薄漂移区D-RESURF器件二维表面电场模型和薄漂移嚣阶梯掺 杂器件揪型。提懋三种离匿器件薪结构：薄型双漂移区离压器件、P埋层低掺杂潺 SOI商压器件和双面阶梯埋氧层PSOI离压器件，并进行部分实验研制。 移匿的减薄，纵向电场对表西电场熬调制幸笮用显著增强。基予该模型，分=|!蓐结梅参数对 表露电场和纵向电场耦合作用的影响，给出获圣导最大击穿电压租最小导通电阻的优化条 件，计算了漂移区厚度和长度与击穿电压的关系。在理论的指导下，成功研制了900V 别在燃缝、树K结和体悫PN结发生击穿熬媾况。在满是最髋表露毫场条停下，导 出反映电穗共享效应的二维RESURF判据。 建立薄漂移区阶梯掺杂器件二维耐压模型。由于横向电场相互耦合，在不闻掺杂区 赛蟊处产生新鼹电场峰。在缎离慧场酶藕合作用下，电场峰值降低，漂移医襄丽电场趋 于均匀。借助此模型，研究了结构参数对漂移区电荷共享效应的影响，绘蹬了器{牛参数 之间的优化关系。表面阶梯掺杂器件正向导通电流大部分流经表面，导通电阻降低。阶 梯掺杂漂移区器件改善了器件在导通电阻和击穿电压之间的折衷关系，且具有较好的工 艺容差。 提出薄型双漂移区维构。由于表露注入N屡掺杂浓度较高，漏电流绝大部分流经 表面，使导通电阻下降。在沟道区下方采用P离子注入埋层，改善漂移区电场分 布，p埋层电场的调制作用在表面电场中引入新的电场峰，使表面电场分布均匀。 在漂移基掺杂裁量相阕酶情况下，随着表露N层厚度的降低和掺杂滚度的提蔫， 摘要 导通电流显著增大。结果表明：薄型双漂移区器件较常规器件击穿电压提高16％， 导通电阻下降24％。 SOI器件。在埋 在低掺杂漏SOl器件的N型漂移区中部注入P埋层形成BLD 氧层纵向电场和埋层附加电场的调制下，沟道边缘表面电场降低，优化漂移区浓 度增大，导通电阻显著下降。在漏极引入低掺杂漏区，缓解了漏结的曲率效应， 击穿电压增大。结果表明：埋层低掺杂漏S01结构较常规S01器件击穿电压提高 29％，导通电阻下降22％。在理论的指导下，实验研制了超过700V的SOl高压 器件。 PSOI。双面阶梯埋氧 提出双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件结构，称为DSB 层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布；耗尽 层通过源极下硅窗口向硅衬底扩展，埋氧层中纵向电场加强，提高了击穿电压， 且缓解了自热效应。获得器件结构参数间二维的优化关系。结果表明：在保持导 通电阻较低的情况下，双面阶梯埋氧层部分S01结构击穿电压较常规SOl器件提 高58％，温度降低10．30K。 关键词：RESURF，薄漂移区，解析模型，电场调制，电荷共享，表面电场 Ⅱ ABS豫ACT ABSTRACT in devicehasbeen 缸a d钾ice key integratedcircuit,lateralhigh-voltage hi曲voltage scholars．