chap刻蚀工艺..ppt

刻蚀工艺(Etch) 基本概念 定义：用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。 目的：把经过曝光, 显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉, 即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。 8.10 VLSI对图形转移的要求 保真度 选择比 均匀性 清洁度 选择比：指两种不同材料在腐蚀的过程中被腐蚀的速率比。 如SiO2的刻蚀中 对光刻胶和硅的腐蚀速率很低 对SiO2的腐蚀速率很很高 均匀性 平均厚度h，厚度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最厚处h*(1+ ?),最薄处h*(1－ ?) 平均刻蚀速率V，速度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最大速度V*(1+ ?),最小速度V*(1－ ? ) 刻蚀时间差 TM－Tm=[ h*(1+ ?) / V*(1- ?) ] －[h*(1－ ?) / V*(1+ ?)] 粗细线条兼顾，折中 洁净度 防止沾污 刻蚀过程包括三个步骤： 反应物质量输运（Mass transport）到要被刻蚀的表面 在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应 反应产物从表面向外扩散的过程 8.11 刻蚀方法 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 湿法的刻蚀原理：湿法是接触型腐蚀，以HF酸腐蚀SiO2为例： SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O此反应的产物是气态的 SiF4和水,其反应速率R可用 Arrhenius方程描述：R = R0exp(-Ea/kT)，其中R0是常数，Ea是反应的激活能，k是玻耳兹曼常数，T是温度 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀. 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低. 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差. 湿法腐蚀特点： 1.其反应物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀，从而影响刻蚀正常进行。 2.一般湿法腐蚀是各向同性的，刻蚀中腐蚀液不但侵入到纵向方向，而且在侧向也会受到侵蚀。 3.湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。放热造成刻蚀局部温度升高，引起化学反应速度加快，反过来，又会加剧反应放热，使刻蚀反应处于不受控制的恶性循环中，使质量极差。在加工时采用搅拌或超声波等方法来消除局部温度升高。放气会造成局部气泡凝聚，使速率变慢或停止，造成缺陷，也可以通过搅拌来赶走气泡，有时也可以在腐蚀液中加入少量氧化剂去除气泡。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料。发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 横向腐蚀小,钻蚀小,无化学废液,分辨率高,细线条 操作安全，简便；处理过程未引入污染：易于实现自动化，表面损伤小 缺点:成本高,设备复杂 v湿法干法结合 v湿法去表层胶，干法去底胶 湿法腐蚀的缺点 在大规模集成电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀所替代： （1）湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性 （2）干法腐蚀能达到高的分辨率，湿法腐蚀较差 （3）湿法腐蚀需大量的腐蚀性化学试剂，对人体和环境有害 （4）湿法腐蚀需大量的化学试剂去冲洗腐蚀剂剩余物，不经济 8.12干法刻蚀 一.干法刻蚀原理 基本原理：腐蚀剂气体与被腐蚀样品表面接触来实现腐蚀 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 e等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差 e反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 干法刻蚀特点： 干法刻蚀的优点在于是各向异性的刻蚀。因此，干法刻蚀的主要任务是如何实现在垂直方向上的刻蚀速率远远大于横向刻蚀速率，以便使光刻在薄膜上的转移图案与掩膜版上原图相同。 两类物质的腐蚀： 反应腔加上射频电场，刻蚀气体放电产生等离子体，等离子体处于激发态，有很强的化学活性，撞击在硅片上，发生反应，腐蚀硅化物。 1.多晶硅、氧化硅、氮化硅，采用CF4刻蚀 CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+4F* 3S