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维普资讯 2008年第2期 ■海斟技 利用校准曲线参量 评价标准样品的适用范围 朱燕明 (中国铝业青海分公司中心化验室，青海 大通 810108) 摘 要：校准曲线参量在相对检测分析方法中的应用十分重要。利用校准曲线参量能够快速、准确地选择出恰当的 标准样品，从而使绘制出更为精确、实用的分析标准曲线成为可能。本文利用最dx--乘法原理得出校准曲线的重要参 量——角系数，从角系数参量推导出角系数b值的误差S，再根据角系数误差判断和评价标准样品的含量范围是否能够 满足分析曲线绘制的需要。 关键词：校准曲线 ；参量 ；角系数；校准样品；评价 仪器相对分析方法在现代化大规模的工业生产中 用数理统计的原理，对标准样品是否能够适用于标准 起着越来越重要的作用 ，快速、准确建立起一条标准 曲线作了初步的探讨 ，得出了校准曲线参量与标准样 曲线是仪器相对分析中的根本问题，而一条精确的标 品选取之间的关系。 准曲线的绘制则依赖于选择恰当的标准样品。本文利 1 最小二乘法及其与它相关的两个参量 了过电压的峰值，使晶闸管不致击穿，同时，也限制 中，为消除电磁震荡和限制放电电流，采用阻容串联 了晶闸管电压上升率过大，防止了晶闸管因正向电压 来作为过电压保护。 上升率过大而引起的误导通。在选用电容器作为过电 阻容保护有三种基本形式：①直接将阻容并联在 压保护时，要与电容器串联一个适当的电阻，当回路 电源变压器的副边 ；②并联在装置的直流输出端；③ 有电感时，会产生电磁震荡 ，在电容器充放电过程 与晶闸管元件并联在一起。阻容保护C、R值见表 2。 表 2 阻容保护 C、R值 (2)硒堆保护 变。开通过程中的电流上升率得到不同程度的抑制 ； 硒整流元件具有较陡的反向非线性特性，当加在 当负载为纯电阻或纯电容且整流功率较大时，可能产 硒堆上的电压超过转折 电压后，反 向电流增加很快， 生电流上升率过大问题。因此，应在回路中串联一个 因硒片面积较大，可消耗较大的瞬时功率，故可用来 不大的电抗器来限制电流上升率过大的问题。 吸收瞬时过电压。硒堆保护可接在交流侧或直流侧 ， 4 结束语 用两组串联的硒片对接使用。硒片的片数可按每片承 在一个装置中根据负载的性质、设备容量的大小 受电压有效值 18～20V来确定。 等因素选用其中一项或几项作为晶闸管过电流、过电 (3)晶闸管保护 压的保护措施。当设备容量较大时，保护措施相应地 例如龙门铣床中电动机的晶闸管励磁装置，其保 要完备些。对于中小型晶闸管装置，主要装设快速熔 护原理如下：由分压电阻R与稳压管DW组成过电压 断器作为过电流保护的装置，以阻容保护或阻容与硒 检测电路，当电位上升到大于正常工作电压的峰值 堆保护作为过电压保护的装置。 时，稳压管导通使晶闸管触发导通，把电压短路掉 ， 参考文献： 同时R起限流作用。 …黄俊．半导体变流技术M【】．北京：机械工业出版社，1993． 3．3 晶闸管开通过程 中的电流上升率问题 2【】方承远．工厂电气控制技术 M【】．北京：机械工业出版社，1991． 当负