SiCSiO2界面的原子分辨率三维重构.pdfVIP

第 34卷 第 5期 电 子 显 微 学 报 Vo1．34．NO．5 2015年 1O月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2015—1O 文章编 号 ：1000—6281(2015)05-0371—06 SiC／SiO2界面的原子分辨率三维重构 刘培植 一，许并社 ，郭俊杰 (太原理工大学 1．新材料工程研 究中心，2．教 育部新材料界面与工程重点实验室，山西 太原 030024) 摘 要 ：碳化硅 (SiC)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件 中。 目前 的 SiC基金属氧化物半导体场 效应晶体管器件存在 的主要 问题是沟道 电子迁移率低 。SiC／SiO：界面处的过渡层被认为是造成沟道 电子迁移率 低的主要原因，但是该过渡层的原子结构 尚不清楚。本文利用球差矫正扫描透射 电子显微镜深入研究了SiC／SiO2 的界面。以变聚焦序列技术得到 了界面过渡层不同深度的原子分辨率断层扫描图像，用变聚焦序列图像重构了界 面的原子分辨率三维结构 。精确的界面原子结构表 明SiC／SiO：界面处的过渡 区是 由于邻晶界面上台阶突起和微 刻面构成的。它是界面原子尺度的粗糙度的反映。邻晶界面上的台阶突起和微刻面增加了电子在界面传输过程 中的散射几率 ，造成 了沟道 电子迁移率过低 。 关键词 ：扫描透射显微镜 ；变聚焦图像序列；三维重构 ；界面；沟道电子迁移率 中图分类号 ：TN304．24；0485；0763；TG115．215．3 文献标识码 ：A doi：10．3969／j．issn．1000—6281．2015．05．003 碳化硅 (SiC)是一种新型高功率 电子器件材 比如，MgO薄膜在 Ag(100)邻晶面 和 NaC1薄膜 料，它有宽带隙、高击穿电场和高热导率等优点，并 在 Ge(100)邻晶面 上外延生长时，产生 了马赛克 且能够形成基于硅基半导体器件制备技术 的SiO： 状的表面。外延生长过程 中晶格失配引起的应力得 绝缘层 ¨’。SiC基金属氧化物半导体场效应 晶体 以在马赛 克状 的表面得到释放。尽管无定形 的 管 (metal-oxide—semiconductorfield—effecttransistor， SiO，绝缘层和 SiC单 晶基片没有外延生长 的关系 ， MOSFET)可以取代硅基半导体器件被用于高温 、高 但是 Si—O键是强共价键 ，具有很强 的方向性。因此 频和高功率等极端环境下 。SiC基 MOSFET的主 探索 SiC／SiO 界面超微观晶体结构对研究器件沟 要缺 陷是相 比于 SiC块体 的电子迁移率 (～800 道电子迁移率降低 的机理有重要的帮助 ，也是研究 cm ／Vs) ，其 沟道 电子迁 移 率 (30～50cm ／ 影响载流子迁移率机制的最直接途径 。 Vs) 太低 。在 MOSFET器件中，加载在栅极的电 界面结构表征 的常用方法有拉曼光谱 、x射线 压诱导反型层形成导 电沟道 ，使载流子在源极和漏 衍射 、x 射 线 光 电子 能 谱 (X—rayphotoelectron 极间导通。导电沟道中载流子的迁移率对场效应管 spectroscopy，XPS)等技术。但 由于光线 自身分辨率 的性能有着决定性 的影 响。导 电沟道均存在于 的限制 ，这些方法只能得到数百纳米范 围内界面结 MOSFET器件 的SiC／SiO 界面处 ，界面结构决定 了 构的平均结果 ，远不能达到原子级分辨率。传统的 碳化硅基 MOSFET器件 导 电沟道 的电子迁移率。 高分辨透射 电子显微镜 (highresolutiontransmission 有报道指 出 SiC／SiO 的界面有一个数纳米厚 的过 electronmicroscope，HRTEM)图像 可 以达到几个 埃 渡层 ，过渡层中含有 Si、C和 0三种元素 ，且过渡层 的分辨率 ，但图像是