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含氮二元系中氮气逸度的研究 王佰娟，李长荣，杜振民 北京科技大学材料科学与工程学院，北京（100083 ） E-mail：ab2007@163.com 摘 要： 由于氮气的逸度-压力关系式存在适用的高压极限，而且不同温度下的高压极限也 不同。当压力高于极限值时，需要对氮气逸度表达式进行修正。本文根据氮气的逸度与温度 和压力所构成的函数关系，从数学角度提出了文献中报导的氮气逸度与温度和压力的关系式 在高低压区段需要分段表达的必要性，给出了高低压区段分界点的确定方法，推导出不同温 度下高压区段的氮气逸度表达式。通过对氮气逸度的分段表达，研究了氮气逸度对不同含氮 二元系相平衡关系的影响，并给出了相应体系中固-液-气三相平衡条件下的压力-温度优势 区相图。 关键词：氮气逸度；优势区相图；含氮二元系 中图分类号：TB935 1. 引 言 III族氮化物半导体材料GaN ,InN和AlN是性能优越的新型半导体材料。在光电子器件方 面已有重要的