最新半导体物理和器件原理部分.ppt

电中性条件 非简并半导体载流子浓度 本征半导体 电子有效质量 迁移率和电导率 平均自由时间 迁移率 电导率 非平衡载流子扩散 扩散流密度 扩散电流密度 双极扩散 双极漂移 爱因斯坦关系 MOS电容 MOS电容=氧化层电容和半导体表层电容串联 PN结伏安特性 MOSFET阈值电压、沟道电流、最高振荡频率 可调电阻区 饱和区 双极型晶体管 电流增益、特征频率、 Kirk效应 共基极连接 共发射极连接 Kirk效应发生的条件： 1、写出在饱和电离情况下， 非简并P型和N型半导体的电导率和掺杂浓度的关系： 电导率： 非简并P型： 非简并N型： 这里非简并的含义是：玻兹曼统计可用，但是多数载流子远大于少数载流子。 本征： 2、试写出载流子的迁移率和能带结构、散射机制的关系式。 迁移率表达式： 其中有效质量和能带结构有关： 晶格散射： 电离杂质散射： 其中平均自由时间和散射机制有关，也和晶格结构有关： 晶体管的开关特性 ?? 开关时间 Vcc RL rb1 c e Vbb rb2 ViH ViL b Vbe ViL ViH t Ib Ib1 t ? Ib2 Ics t Ic 0.9Ics 0.1Ics t0 t1 t2 t3 t4 t5 Vce t 0 延迟时间 td = t1 ? t0 上升时间 tr = t2 ? t1 储存时间 ts = t4 ? t3 下降时间 tf = t5 ? t