最新半导体物理学第八章.ppt

半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 第8章 半导体表面与MIS结构 8.1表面态8.2表面电场效应8.3MIS结构的电容一电压特性8.4硅一二氧化硅系统的性质8.5表面电导及迁移率8.6表面电场对pn结特性的影响 MIS结构 MIS结构 理想情况 金属与半导体间功函数差为零 绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电 绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态 能带图 能带图-1 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 外加偏置 ★ 表面空间电荷层 空间电荷区: 半导体中呈现非电中性(出现静电荷)的区域 表面空间电荷区起因: 屏蔽外界影响产生的电场 [外电场; 表面态; 表面原子吸附或薄层覆盖; 界面] 特点: 表面空间电荷区中存在电场, 能带发生弯曲. 表面势VS—半导体表面相对于体内的电势值 定性图象: 设半导体表面外有电场?i (或写作Vg，栅压，以指向半导体表面为正). 半导体 ?i 0 (VS 0) ?i 0 (VS 0) n型 电子积累 表面耗尽,