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- 2016-02-24 发布于湖北
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最新半导体物理第二章.ppt
P和N型硅半导体中费米能级的位置随着温度的变化规律 费米能级位置 2.3.4 PN结接触电势差-费米能级 利用费米能级可以讨论很多实际问题,其中一个典型的例子就是PN结 的接触电势差。 在半导体的PN结中,由于两边的电子和空穴浓度不相等,因而形成一 个空间电荷区,其中的内建电场正好抑制电子和空穴的扩散,从而保 持两边P型和N型区间的相对平衡。此时, P型和N型两部分之间存在的电势差,称为接触电势差。 费米能级的高低直接决定着电子的流动或者平衡。若各处费米能级高低不一,电子就不是平衡的,电子要从费米能级高的地方流向费米能级低的地方,只有当费米能级高低相同,才没有电流的流动。 利用费米能级的概念,不仅可以说明接触电势差产生的原因,还可以求得其大小。 P区相对于N区的接触电势差= -V0 取N区的电势为0,则P区的电势为-V0 , 从费米能级来看,正是由于这个电势差使得两边高低不等的费米能级被调整到一个水平,从而实现平衡。 由于P区所有电子获得附加电势能: (-q)*(-V0
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