最新半导体第三章.ppt

第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 1、半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态？其物理意义如何？ 一单晶硅棒，在分别受太阳光照和处于暗态时，何时是处于热平衡状态？ 一单晶硅棒，在两头温度分别为40摄氏度和80摄氏度时，该材料可以处于热平衡态吗？ 第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 2、什么叫统计分布函数？费米分布和玻尔兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡为后者？为什么半导体中载流子分布可以用波尔兹曼分布描述？ 3、说明费米能级EF的物理意义。根据EF位置如何计算半导体中电子和空穴浓度？如何理解费米能级EF是掺杂类型和掺杂程度的标志？ 第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 4、在半导体计算中，经常应用E-EFk0T这个条件把电子从费米统计过渡到玻尔兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义？ 5、写出半导体的电中性方程，此方程在半导体中有何重要意义？ 6、若n－Si中掺入受主杂质，EF升高还是降低？若温度升高到本征激发起作用时，EF在什么位置？为什么？ 第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 7、如何理解分布函数与状态密度的乘积再对能量积分即可求得电子浓度？ 8、为什么硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高？ 9、说明载流子浓度乘积：n0p0=ni2的物理意义。为什么杂质含量愈高，多子浓度愈大，而少子浓度愈小？当半导体中掺入的杂质类型和杂质含量改