低温等离子体增cvd技术及制备氮化硅薄膜的研究.pdfVIP

1仁南!J『|j范大学硕J二研J宄‘卜毕、lp硷文 第一q-摘要 摘 要 纳米薄膜具有其独特的结构特征和性能，如臣电导、巨磁电阻效应、巨霍尔效应等， 正受到人们的J“泛关注。氮化硅(Si3N。)纳米薄膜是。种物理、化学性质十分优良的介质膜。 用等离子体增强化学气相沉积(CVD)法N备的氮化硅膜，具有优良的热稳定性和介电特性， 已广泛应用于微电子等领域。 薄膜特性。包括等离子体参数的分布特性以及si3Nn纳米薄膜材料的制备上艺方法，寻求 合适的上艺参数，制各纳米si3N。薄膜材料，以及利用红外光谱仪、X射线衍射仪利原子 力显微镜对纳米si3N4薄膜材料进行研究，探索提高纳米SisN4薄膜材料性能的途径。 氮化硅薄膜的质量在很大程度上依赖于等离子体的参数，在本文中我们用朗缪尔甲探 针测试了直管式反应室中的等离子体参数，得到离子密度(彻在反应室内轴向以及径向位置 的变化规律。等离子体密度随着功率的增加而增加，随反应室内气压的升高先升高，而后 个气压下的离子密度。肖功率为100W时，随气压升高，离子密度先增大，在气压10Pa， 功率100W时离子密度达最大值2．20X10”cm～，而后随气压增加离子密度反而下降。获得 了离子密度分布均匀的区域，分析了离子密度分布的均匀性对薄膜制备的影响和意义。 成的振动吸收峰，由于杂质氢的存在还含有si—H键和N—H键：溴化钾(KBr)晶体基片巴 膜属于Ⅸ一Si3N4六方晶系结构；用原子力显微镜观察到在单晶硅基片上制备的SisN4晶体薄 膜显微形貌。 关键词：Si3N。：纳米薄膜；ICP；等离子体密度 中图分类号：0434．14文献标志码：A Abstract Thenanometerthinfilmis attention withthecommonthin paidgreat now．Compared film， ithassome suchas resistance uniquepropertieshugeconductance，hugemagnetismeffect，huge fi nanometersiliconnitridethinfilmiSakindofmediumImwith SOon．The Halleffectand the excellent andchemical film byICP-PECVDhas good prepared physical properties．The hasbeen usedin thermal anddielectriccharacteristic，and of stability widely many properties asthemicroelectronics fieldssuch industry． of enhanced Inthis we onthetechnics plasma study inductivelycoupled papermainly