nc-SiHc-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao1 June ActaPhys．-Chim．Sin．2015，31(6)，1207-1214 1207 A【rticle】 doi：10．3866／PKU．WHXB201504142 www．whxb．pku．edu．cn nc．Si：H／c．Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化 乔 治 解新建 ’ 薛俊明。 刘 辉 ’ 梁李敏 ’ 郝秋艳 ’ 刘彩池 (河北工业大学光 电功能晶体材料河北省工程实验室，天津 300130； 石家庄铁道大学数理系应用 物理研究所，石家庄050043； 河北汉盛光电科技有限公司，河北衡水053000) 摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄 膜，研究了硅烷浓度(C)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响．将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢 化纳米晶硅，晶硅(nc．Si：H／c．Si)硅异质结(SHJ)太阳电池中，研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响．实 验发现：随着硅烷浓度的降低，本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧 变化：本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定．靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光 敏性，氢含量最高，带隙态密度低，且主要 以SiH形式成键，对硅片表现出优异的钝化性能，使 电池的开路 电压 大幅提高．但是，当薄膜的厚度过小时，会严重影响其钝化质量．本实验中，沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为 6％(摩尔分数)，且当薄膜厚度为～8nm时。所制备电池的性能最好．实验最终获得了开路电压为672m、，，短路 电流密度为35．1mA-cm～，填充因子为0．73，效率为17．3％的nc-Si：Hc／-SiSHJ太阳电池． 关键词： 本征硅薄膜：射频等离子体增强化学气相沉积：界面钝化： 少子寿命：硅异质结太阳电池 中图分类号： 0649 OptimizationofIntrinsicSiliconPassivationLayersin nc—Si：H／c—SiSiliconHeterojunctionSolarCells QIAO Zhi’。。 XlEXin-Jian’ XUEJun—Ming。 LIUHui’ LlANG Li．MIn’ HAO Qiu—Yan’ LIUCai．Chi (EngineeringLaboratoryofPhotoelectricFunctionalCrystalsinHebeiProvince,HebeiUniversityofTechnology,Tianjin300130, PR．China； ：lnstitueofAppliedPhysics．DepartmentofMathematicsandPhysics,ShijiazhuangTiedaoUniversiyt,Shjiiazhuang 050043，PR．China； ChinaHisunPVTechnoloyg Co．，Ltd．，Hengshui053000,HebeiProvince，PR．China) Abstract： A seriesofintrinsicsiliconthinf¨mswereprepared using radio．frequencyplasma．enhanced chemicalvapordeposition(RF-PECIVD)atIOWtemperatureandIOWpowerdensity．Weinvestigatedtheinfluence ofsilaneconcentration(Cs)onthestructural，optical，andelectronicproperties，andpassivationqua