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日本半導體製程書籍 翻譯（日翻中） 第五章 基本製程技術 基本製程技術，即為單一製程（Unit Process），包含清洗技術等，區分為七項。 此章將闡述基本製程技術的具體內容。而基本製程技術的分類，乃事先考慮其製 程、裝置，以及材料開發等相關應用，採用其中最合理的分類方式。 此章敘述各項技術的概括、技術的目的和目標，以及如何運用於半導體元件製造 上，並針對各項技術的基本範本、原理、相關裝置與材料進行解說。此外，也會 探討各項技術的最新動向，以及未來可能面對的課題。 5.1 清洗技術 半導體元件的製造流程中，將一次又一次反覆進行清洗製程，用以維持基板 表面的清潔，並有效去除微粒和金屬污染等。目前雖然仍使用傳統的濕式清洗技 術，但隨著元件的微細化，經常需要技術層面的提升。現在以 CMP，與銅配線 的相關技術最為熱門。 5.1.1 清洗技術的概括 半導體元件的製造上，清洗的目的是為了去除基板表面的各種污染。 不論有沒有眼睛看得見（當然也包括 SEM－掃瞄式電子顯微鏡）的東西， 或是眼睛看不見的東西，所有基板上的污染，都大大影響元件的良率與可靠性。 甚至連大小為設計法則（最小線寬）十分之一的微粒，也可能會造成嚴重的問題。 製造製程中，污染的發生可分為兩種，一在晶圓的處理過程（搬運及保管） 中發生，另一則在製程過程中發生。處理過程中污染發生的原因，一般而言相當 明確，只要搬運裝置和工具管理得當，就可以防患未然。但後者，製程中所發生 的污染，卻是相當棘手。依據不同的條件，製程種類相差十萬八千里，清洗卻又 必須對應所有的製程分別進行。以下綜合製程的種類，污染的種類，以及要以何 種清洗去除污染，顯示於表 5.1 ，表 5.2 。 表 5.1 將污染分為離子性與非離子性 。離子性污染中，當然以金屬離子的問 題最嚴重，不過近來陰離子也成為一大問題。基板的表面或內部，如果有離子存 在的話，則會干擾電場，影響元件的電子特性。雖然表上僅標示鹼金屬，但是其 他金屬也會以離子型態存在。 表 5.1 VLSI 製造中污染的種類 ─依物質種類分類─ 分類 污染物質 污染來源 發生原因，發生場所 + + + 離子性污染 金屬離子 Na , Li , K 等 自人體轉移，或由電鍍液、藥品 （鹼金屬） 溶液、建材，原料所發生 陰離子 F- - -- , Cl , So4 蝕刻、光阻、鍍金屬工程等 （鹵素等） 有機物污染 蠟 － 研磨工程、光阻工程，晶圓處理 油 全程，乾式蝕刻殘渣（聚合物） 樹脂 無機物污染 重金屬 Fe, Ni, Cr 等 不銹鋼材、機器人、反應室 非 晶圓處理全程 離 貴重金屬 Au, Pt, Ag 等 建材、反應室內結構 子 Cu 起因於製程本身，或於製程中發 性 生 污 其他金屬 Al 反應室的材料，處理建材，無塵 染 Ca, Mg 等 室結構，人體 （鹼土族） 碳 C