Metal-organic Chemical Vapor Deposition of GaSbGaAs Quantum Dots the Dependence of the Morphology on Growth Temperature and Vapour VⅢ Ratio.pdfVIP

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2016-02-28 发布于天津
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Chem．Res．Chin．Univ．，2014，30(1)，13—17 doi：10．1007／s40242-0l4-3342—5 M etal-organicChemicalVaporDepositionofGaSb／GaAs QuantumDots：theDependenceoftheMorphologyon GrowthTemperatureandVapourV／IllRatio YANGHaoyu，LIURenjun，LOYou，WANGLiankai，LITiantian，LIGuoxing， ZHANGYuantao andZHANGBaOlin StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics，CollegeofElectronicScienceandEngineering JilinUniversity,Changchun130012．JF=R．China Abstract GaSbquantum dotshavebeenwidelyappliedinoptoelectronicdevicesdueto itsuniqueelectrica1and opticalproperties．Theeffectsofmetal-organicchemicalvapordeposition(MOCVD)parameters，suchasgrowth temperatureandvapourV／IIIratio[V／IIIratiomeansthemolarratiooftrimethylgallium(TMGa)andtriethylantimo- ny(TESb)]，weresystematicallyinvestigatedtoachieveGaSbquantumdotswithhighqualityandhighdensity．The featuresofsurfacemorphology ofuncapped GaSb quantum dotswere characterized by atomic force micro- scope(AFM)images．Theresultsshow thatthesurfacemorphologiesofquantum dotsarestronglydependenton growthtemperaturena dvapourV／IIIratio．GaSbqunatum dotswithallaverageheightof4．94nm andadensityof 2．45×100cm-2wereobtainedbyoptimizinggrowthtemperatureandV／IIIratio ． Keywords GaSbquantum dot；Surfacemorphology；M etal-orgnaicchemicalvapordeposition；Atomicforcemicro- scope 1 IntrOductiOn themostimportantgrowthparma etersofrgrowingGaSbQDs． Variousrgowthmethodshavebeen employed torgow high Recentl~ semiconductorqunatum dots(QDs)with a qualiyt GaSbQDs，su