LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析.pdfVIP

第 35卷、第 l1期 合肥 工业 大 学学报 (自然科学版) Vo1．35No．11 2012年 11月 J0URNALOFHEFEIUNIVERSITYOFTECHNOLOGY NOV．2012 LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析 胡佳宝， 何晓雄 ， 杨 旭 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：文章利用低压化学气相沉积法(LPCVD)，在单晶si衬底上制备多晶si薄膜。利用原子力显微镜观 察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响，并利用 XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能 的影响。结果表明：镀膜温度越高、薄膜越厚，薄膜的晶粒尺寸越大 ；退火温度越高，薄膜的结晶越好 。 关键词：多晶硅薄膜 ；低压化学气相沉积；表面形貌 ；X射线衍射 中图分类号~TN305．8 文献标识码：A 文章编号 ：1003—5060(2012)11—1496—05 Growthandpropertiesofpoly—Sithin film depositedbyLPCVD HUJia—bao， HEXiao—xiong， YANGXu (cshoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract．Poly-Sithinfilm isdepositedonsinglecrystallinesiliconbylow pressurechemicalvapour deposition(LPCVD)．Theinfluenceofthethicknessofthefilm andthedepositiontemperatureonthe surfacemorphologyofpoly-Sithinfilm wasstudiedbyusingtheatomicforcemicroscope，andthein— fluenceoftheannealingtemperatureon thecrystallinityofpoly-Sithinfilm wasstudiedbyusingX- raydiffraction(XRD)．Theresultsindicatethatthehigherthedepositiontemperature，thethickerthe film andthebiggerthegrainsize；thehighertheannealingtemperature，thebetterthecrystallinityof thefilm． Keywords：poly-Sithinfilm ；low pressurechemicalvapourdeposition(LPCVD)；surfacemorphology X_raydiffraction(XRD) 随着设备的发展和制备工艺的改进，多晶硅 用原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌，用x射 薄膜被广泛应用于微机电系统、半导体桥、大规模 线衍射 (XRD)研究退火温度对薄膜结晶性能的 集成电路、晶体管、太 阳能电池火工品等产 品 影响，用半导体特性测试仪测试其 曲线，用 上_1-3]。多晶硅薄膜具有很多特点，如生长温度 XP-100型台阶仪测量薄膜的厚度，最后对工艺参 低、对衬底选择不苛刻、适合半导体工艺加工、同 数与薄膜性能间的关系进行了分析。 单晶硅有相近的敏感特性和机械特性等_4]。多晶 l LPCVD法制备多晶硅薄膜 硅薄膜的制备主要有真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜 和化学气相沉积(CVD)等方法¨5]。 在 P型(100)晶面单晶硅衬底上氧化一层二 本文利用低压化学气相沉积法(LPCVD)，在 氧化硅 (SiO)，厚度大约为 300nm。氧化之前，