SiN_xH薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响.pdfVIP

第 28卷 第4期 液 晶 与 显 示 Vo1．28．No．4 2013年 8月 ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays Aug．，2013 文章编号 ：1OO7—278O(2O13)04—0547—05 SiN ：H薄膜沉积条件变更对 TFT特性的影响 李 婧，张金 中，谢振宇，阎长江，陈 旭，闵泰烨 (北京京东方光电科技有限公司 ，北京 100176，E—mail：jinger_126@163．corn) 摘 要：利用等离子化学气相沉积法连续制备 SiN ：H和 a—Si：H薄膜。通过 电学、光学、力学测试研究了 SiN ：H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明，过度的富硅化将显著增大体系的界面态，严重影 响器件 的TFT特性 。当Sill 和 NH。气体流量 比值为 7：15时，开关 比(J…／I“)可达 3．24×10。适当增加 功率同样可以提高 I。，但高于 31．5w／cm。后，只会严重地增大薄膜的应力。优化 SiN ：H的沉积参数 ，开关 比可 以提高 5．5倍 。 关 键 词 ：SiN ：H 界面态 ；Si／N；开关 比；TFT特性 中图分类号 ：O753 ．2 文献标识码 ：A DOI：10．3788／YJYX$2O1328O4．0547 DepositionConditionEffectsofSiN ：H film on TFT Characteristics0fa-SiTFT LIJing，ZHANGJin—zhong，XIEZhen—yu，YAN Chang—jiang，CHENXu，MINTai—ye (BeijingBOEOptoelectronicsTechnologyCo．，Ltd，BeUing 100176，China，E-mail：jinger_l26@163．corn) Abstract：SiN ：H anda—SiN：H thinfilmswerepreparedbyplasmaenhancedchemicalvapor deposition system．ThispaperinvestigatedtheeffectofdepositionconditionofSiN ：H film ontheinterracialpropertiesofa—SiN：H／SiN ：H films，whichwascharacterizedbyelectri— cal，opticalandmechanicalmeasurements．Theresultsshowedthatexcessivesiliconcould increaseinterface—statedensity significantly，which damagedperformanceofTFT characte— ristics．On／Offcurrentratioofa-SiTFTwasupto3．24×10whentheratiooftheSiH4and NH3gasmassflowratewas7：15．Whenthepowerdensitywasincreasedabove31．5W ／cm2，its influenceon theelectrica1property ofLCD deviceswould becomeweak；meanwhile，the stresswassignificantlyincreased．On／Offcurrentratiowasincreasedby5．5timesbyusing optimizedparametersofSiN ：H thin film． Keywords：SiN ：H；interface—state；Si／N；On／Offcurrentratio；TFTcharacteristics 池等行业的工业生产中。一般采用