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第 30卷第 3期 无 机 化 学 学 报 V01．30No．3 2014年 3月 CHINESEJOURNALOFIN0RGANIC CHEMISTRY 597—602 不同金属缓冲层对 GaN薄膜的光学及电学性能的影响 翟化松 -，2 余春燕 ，2 高 昂3 姜 武3 王坤鹏 -，2 许并社 ，1,2 (太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原 030024) (山西省新材料工程技术研究中心，太原 030024) (。太原理工大学材料表面工程研究所，太原 030024) 摘要：本文以金属 Ga和NH，为原料，Al、Ni和Fe为金属缓冲层，采用化学气相沉积法(CVD)在 Si(100)衬底上合成了GaN微米 薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描 电子显微镜(FESEM)、能量弥散 X射线谱(EDS)、光致发光光谱(PL)和霍尔效应测试 仪(HMS．3000)等对GaN微米薄膜进行表征。结果表明，所有样品均为六方纤锌矿结构；样品均出现了很强的近带边紫外发射峰 和半峰宽较大的中心波长为 672nm红光发射峰：不同样 品的电学性能差异较大 。最后对合成的GaN微米薄膜 的可能形成机理 进行 了简单分析 。 关键词：GaN微米薄膜；金属缓冲层；化学气相沉积 中图分类号：TN304 文献标识码 ：A 文章编号：1001．4861(2014)03．0597—06 DoI：10．11862／CJIC．2014．088 EffectofDifferentM etalBufferLayeronOpticalandElectricalPropertiesofGaN Films ZHAIHua—Song，- YU Chun—Yan’ GAOArtS~ JIANGWu WANG Kun—Peng XU Bing-She (KeyLaboratoryofIntegCaceScienceandEngineeringinAdvancedMaterials (TaiyuanUniversityofTechnology)，Min~tryofEducation,T~yuna030024，China) (~ShanxiResearchCenterofadvancedMaterialsScienceandTechnoloyg,Taiyuan030024，China) (3ResearchInstituteofSu~CaceEngineering,TaiyuanUniversityofTechnoloyg,Taiyuan030024,China) Abstract：GaNmicronfilmswerepreparedonsiooo)substratewithA1，NiandFemetalbufferlayerbychemical vapordepositionmethod (CVD)，inwhichmetalGaandNH3assourcematerials．TheGaNmicronfilmswere characterizedbyX-raydiffraction (XRD)，fieldemissionscanningelectronmicroscopy (FESEM)，energy dispersiveX—rayspectroscopy (EDS)，ph0toluminescence (PL)andhalleffectmeasurementsystem(HMS一3000) etc．TheresultsindicatethataU samplesarehexagonalwurtzite structure．show strongnear—band—edge UV emissionpeaksand red lightemission peakswith centerwavelength of672 nm．Theelectricalpropertiesof samplesarequitedifferent．Finallythepossib