不同ArO2气压比例条件下立方MgZnO薄膜生长特性及紫外光吸收特性.pdfVIP

第35卷第6期 发 光 学 报 V0 1．3 5 No ．6 20 14年6月 CHI NESE J OURNAL OF LUMI NESCENCE J une ，2014 文章编号：1000 —7032( 20 14) 06- 0684- 05 不同A ／02气压比例条件下立方MgZnO 薄膜生长特性及紫外光吸收特性 韩 舜，彭 赛，曹培江，柳文军， 曾玉祥，贾 芳，朱德亮，吕有 明8 ( 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料蓖点实验窜． 深圳陶瓷先进技术 程实验室 ，广东深圳5 18060) 摘要：利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备了立方结构MgZnO薄膜，研 究了在不同A ／O，气压比 例条件下，立方结构MgZno薄膜的生长取向、光学带隙和Mg ／zn含量比例的变化规律。当同定氧气分压为2 Pa、通过注入惰性的A 气使生长气压从2 Pa升高到7 Pa时，MgZnO薄膜 的生长取向由(200) 向( 1l 1) 转变 。 当生长气压从2 Pa 升高到6 Pa时，MgZnO薄膜光学带隙变窄 。而当生长气压从6 Pa升高到7 Pa时，MgZn0 薄膜光学带隙反而变 宽。通过XPS数据分析，不同生长气压下MgZn0薄膜光学带隙的变化规律与薄膜Mg ／ zn含量比例的变化规律不一致，MgZnO薄膜中Mg和zn与O的结合情况的变化对薄膜的光学带隙也有 影响。 关键词：ZnO；MgZnO：脉冲激光沉积；紫外探测器 中图分类号 ：0484 ．4 文献标识码 ：A DOI ：10 ．3788 ／f gxb20 143506 ．0684 G owt h O i e nt at i on and Opt i cal Abso pt i on Cha act e i s t i c s of Cubi c MgZnOThi n Fi l ms Unde Di f f e ent A ／02 P es su e Rat i o Con di t i on PLDMet hod by HAN Shun ，PENG Sai ，CAO Pe i -j i ang ，LI U We n-j un，ZENG Yu—xi ang ， JI A Fa ng，ZHU De —l i ang ，LYU You ·mi ng+ ( Cal l ege of Mat e i al s Sci enc e and En gi n ee i n g，She nz hen Uni t , e s i t ) ，Shenzhen Ke) bt ba a t o ) ∥Spe ci al Fun ( 。t i on al Mat e i al s Sh en zhe n En gi n ee i ng La ba at o ) 如 ■出a nce d Techn ol og) of Ce ami cs ，Shen zhe n 5 1 8060，Chi n a)