光电导器件资料.ppt

第2章 光电导器件 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。 光敏电阻具有体积小，坚固耐用，价格低廉，光谱响应范围宽等优点。广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。 2.1 光敏电阻的原理与结构 2.1.1 光敏电阻的基本原理 2.1.2 光敏电阻的基本结构 2.1.3 典型光敏电阻 2、PbS光敏电阻 3、InSb光敏电阻 4、Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 碲[ti:] 2.2 光敏电阻的基本特性 2.2.1 光电特性 2.2.2 伏安特性 2.2.3 温度特性 2.2.4 时间响应 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光电流IΦ随时间变化的规律为 (理解参见式1-80) 光电导率和光电流随时间变化的规律为 光敏电阻电导率的变化规律为 2.2.5 噪声特性 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合和低频噪声(或称1/f噪声)。 2.2.6 光谱响应 光敏电阻的光谱响应主要由光敏材料禁带宽度、杂质电离能、材料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。 * 图2-