光辐射的探测技术资料.ppt

2. 基本特性 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 温度特性 硅光电二极管的光电流和暗电流均随温度的变化而变化。 由于温度升高，暗电流增大，使输出信噪比变差，不利于弱光信号的探测。所以，在弱光信号检测时，要设法克服温度变化的影响。 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 光谱响应特性和光电灵敏度 Si光电二极管具有一定的光谱响应范围。 常温下，Si材料的禁带宽度为1.12（eV），峰值波长约为0.9um，长波限约为1.1um，由于入射波长愈短，管芯表面的反射损失就愈大，从而使实际管芯吸收的能量愈少，这就产生了短波限问题。Si光电二极管的短波限约为0.4um。 Si光电二极管的电流灵敏度主要决定于量子效率。在峰值波长0.9um条件下，?＞50％。电流灵敏度R?＞0.4（?A/?W）。 光谱响应曲线 2. 基本特性 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 伏安特性曲线，曲膝电压 3. 光电变换的伏安特性分析 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 伏安特性曲线，曲膝电压 线性化处理伏安特性曲线 3. 光电变换的伏安特性分析 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 伏安特性曲线，曲膝电压 线性化处理伏安特性曲线 负载工作曲线 内电导、临界电导、负