《钡铁氧体磁记录材料发展概况》.pdfVIP

维普资讯 信息记录材料 2003年 第 4卷 第 4期 记 录 与 介 质 钡铁氧体磁记录材料发展概况 王志 良 ，王步云 (1．中国人民银行 保定中心支行，保定 071000；2．全国磁性记录材料信息站，保定 071054) 摘 要l钡。(Ba)铁氧体磁粉和介质 ，是作为实现垂直磁记录方式、且适于批量生产的涂布型磁记录介质 而开发的。围绕Ba铁氧体磁粉、Ba铁氧体磁带和 Ba铁氧体软磁盘的应用，回顾 了Ba铁氧体记录材料的技术开 发史。玻璃晶化法制作的Ba铁氧体粒子，其特征是粒度分布好，并可通过 C Ti置换量的选择，将矫顽力精确 地控制在应用系统所需要的最佳值。4MBVD／FDD、Hi一8Ⅷ 等虽 已商品化，却未发展到普及 的程度 。最近， 开发 了更加微粒化的Ba铁氧体材料。其记录特性具有数百kFPI的潜在可能性。但应注意的是，微粒化的同时 也带来 了磁化的稳定性问题。根据有关评价，结论认为最适宜的粒径为30nlTl左右。 关键词 ：Ba铁氧体 ；涂布介质 ；记录特性 中圈分类号：TQ584 文献标识码：B 文章编号：1009—5624(2003)04—0049—06 同时 ，对垂直取向的Ba铁氧体涂布介质 ，也在采用 1／2英 1 前 言 寸磁带的半速化 pvn 上进行了录像及重放演示 ，还进行 了采用盘介质的电子照相机的演示等，突出表现了Ba铁氧 在 1975年 日本应用磁学会举办 的学术讲演会上 ，首次 体介质的高密度记录特性。 发表了有关 C0Cr垂直记录薄膜 的演讲…。接着 ，在 1977 由于采用 Co-Cr膜的FIX)在确保耐久性上还让人 留有 年召开的 INTERMAG会议上 ，发表 了采用垂直薄膜 的垂 一 些担心 ，所以将介质换成开发工作已取得进展 的Ba铁氧 直磁记录方式的技术方案 】。 体涂布介质 ，开发了Ba铁氧体3．5型4MBFD，并于 1985 东芝公司考虑到当时vrIR等及其以后的AV应用，于 年开始提供样品。东芝公司Ba铁氧体产品的开发情况如表 1978年开始进行涂布型 Ba铁氧体介质 的开发 】。公司认 1所示 。 为，为了实现垂直磁记录方式，不仅要用金属薄膜，也应 采用更适合批量生产的涂布型介质。此后 ，虽开发出了几 表 1 lla铁氧体的开发及商品化 种产品投放市场 ，但并未发展到广泛普及的程度。最近， 时间 产品开发及商品化 1982正 Co-Cr单层溅射膜 3．5型垂直 FDD (演示) 又试制出了微粒化程度比当时更高的Ba铁氧体磁粉 ，并对 1985年 Ba铁氧体 3．5型4MBFD的OEM (提供样品) 其进行了评价，得出一些有趣的结果 。铃木先生本人参与 1986正 3．5型4MBFDD的OEM (提供样品) 了有关 Ba铁氧体磁粉及其介质的开发工作 ，并介绍 了东芝 1987正 Ba铁氧体磁粉批量生产 (日产量 2--3t) 公司的研究开发情况及最近的实验结果。 1991正 业务用 H卜一8Ba铁氧体磁带上市 2 Ba铁氧体的开发及商品化 3 Ba铁氧体技术开发史 1977年 ，东芝公司接受了岩崎先生提 出的垂直磁记录 3．1lla铁氧体磁粉 方式 的解决方案 ，并于 1978年开始投入 Co-Cr溅射膜和涂 实现涂布型垂直磁记录介