半导体工艺光刻+蚀刻精要.ppt

INTRADUCTION 芯片制造工艺 光刻工艺 刻蚀工艺 光刻+蚀刻 最重要 决定着芯片的最小尺寸 制造时间的40-50% 制造成本的30% 玻璃模版 光刻 光化学反应 蚀刻 腐蚀 光刻胶膜 硅片 光刻工艺 photoresist silicon substrate oxide 紫外光 光刻胶上的阴影 光刻胶的曝光区 模版上的铬岛 硅衬底 光刻胶层 氧化层 岛 使光衰弱的被曝光区 光刻胶显影后的最终图形 窗口 光刻胶层 氧化层 硅衬底 光刻原理 使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形 在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料 光刻工艺 显影检查 曝光后烘焙 显影 坚膜烘焙 紫外光 模版 ? ? 对准和曝光 光刻胶 旋转涂胶 软烘 清洗+喷涂粘附剂 HMDS 光刻工艺步骤 光刻工艺 涂胶 曝光 显影 模板 Normal Incomplete over under 光刻工艺 —— 显影后 光刻胶上的IC设计图形 晶圆表面 腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，如Si、SiO2，金属、光刻胶等 湿法和干法 蚀刻工艺 刻蚀工艺 用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等） 以化学方式去除Si表面的材料