料锤周期性地敲打装在料斗里的粉末原料,粉料从料斗中逐渐地往下掉,落到位置6处,由入口4和入口5进入的氢气氧气形成氢氧焰,将粉料熔融。熔体掉到籽晶7上,发生晶体生长,籽晶慢慢往下降,晶体就慢慢增长。使用此方法生长的晶体可长达1m。由于生长速度较快,利用该法生长的红宝石晶体应力较大, 只适合做手表轴承等机械性能方面 焰熔法生长方式示意图 导模法(EFG) 导模法生长晶体的原理如左图所示。将原料置于铱坩埚中,借由高调波感应加热器加热原料使之熔化,于坩埚中间放置一铱制模具,利用毛细作用让熔汤摊平于铱制模具的上方表面,形成一薄膜,放下晶种使之碰触到薄膜,于是薄膜在晶种的端面上结晶成与晶种相同结构的单晶。晶种再緩慢往上拉升,逐渐生长单晶。同时由坩埚中供应熔汤补充薄膜 水平结晶法(HDC) 其生长原理如上图所示,将原料放入船形坩埚之中,船形坩埚之船头部位主要是放置晶种,接着使坩埚经过一加热器,邻近加热器之部份原料最先熔化形成熔汤,形成熔汤之原料便与船头之晶种接触,即开始生长晶体,当坩埚完全经过加热器后,便可得一单晶体。为了晶体品质及晶体生张结束后,方便取出晶体,坩埚应采用不沾其熔汤之材料所製,如石英、氧化镁、氧化铝、氧化铍以及石墨等。加热器可以使用电阻炉,也可使用高频炉。用此方法生长单晶,设备简单,又可得到纯度很高和杂质分布十分均匀的晶体。但此方法所生长的晶体与坩埚接触,难免有坩埚成分之
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